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1. (WO2006049261) ELEMENT DE MEMOIRE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/049261    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/020320
Date de publication : 11.05.2006 Date de dépôt international : 04.11.2005
CIB :
H01L 27/28 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01)
Déposants : WASEDA UNIVERSITY [JP/JP]; 104, Totsukamachi 1-chome, Shinjuku-ku Tokyo 1698050 (JP) (Tous Sauf US).
NISHIDE, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HONDA, Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YONEKUTA, Yasunori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KURATA, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ANBE, Shigemoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NISHIDE, Hiroyuki; (JP).
HONDA, Kenji; (JP).
YONEKUTA, Yasunori; (JP).
KURATA, Takashi; (JP).
ANBE, Shigemoto; (JP)
Mandataire : USHIKI, Mamoru; 3rd Fl. Yusei Fukushi Kotohira Bldg. 14-1 Toranomon 1-chome Minato-ku, Tokyo 105-0001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-324280 08.11.2004 JP
Titre (EN) MEMORY ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ELEMENT DE MEMOIRE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) メモリー素子及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A novel nonvolatile memory element, which can be manufactured by a simple and high yield process by using an organic material and has a high on/off ratio, and a method for manufacturing such nonvolatile memory element. A switching layer (14) made of an electrical insulating radical polymer is provided between an anode layer (12) and a cathode layer (16). Further, a hole injection transport layer (13) is provided between the switching layer (14) and the anode layer (12), and an electron injection transport layer (15), between the switching layer (14) and the cathode layer (16). An intermediate layer is provided between the switching layer and the adjacent layer. The radical polymer is preferably nitroxide radical polymer. The switching layer (14), the hole injection transport layer (13) and the electron injection transport layer (15) are formed by being stacked by a wet process.
(FR)L'invention concerne un élément novateur de mémoire non volatile qui peut être fabriqué grâce à un procédé simple et de rendement élevé en utilisant un matériau organique qui présente un rapport conducteur/bloqué élevé, ainsi qu'un procédé de fabrication d'un tel élément de mémoire non volatile. Une couche de commutation (14) constituée d'un polymère à radicaux isolant électriquement, est prévue entre une couche d'anode (12) et une couche de cathode (16). En outre, une couche de transport d'injection de trous (13) est prévue entre la couche de commutation (14) et la couche d'anode (12), tout comme une couche de transport d'injection d'électrons (15) entre la couche de commutation (14) et la couche de cathode (16). Une couche intermédiaire est prévue entre la couche de commutation et la couche adjacente. Le polymère à radicaux est de préférence un polymère à radicaux de nitroxyde. La couche de commutation (14), la couche de transport d'injection de trous (13) et la couche de transport d'injection d'électrons (15) sont formées en étant empilées par un procédé par voie humide.
(JA)有機材料を用いて簡便かつ歩留まりの高い工程で製造でき、かつオン/オフ比が高い、新規の不揮発性のメモリー素子及びその製造方法を提供する。陽極層12と陰極層16との間に、電気絶縁性のラジカルポリマーからなるスイッチング層14を設けた。さらにスイッチング層14と陽極層12との間にホール注入輸送層13、スイッチング層14と陰極層16との間に電子注入輸送層15を設けた。また、スイッチング層と隣接する層との間に中間層を設けた。ラジカルポリマーはニトロキシドラジカルポリマーが好ましい。スイッチング層14、ホール注入輸送層13、電子注入輸送層15は、湿式法により積層形成した。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)