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1. (WO2006049240) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’ÉBAUCHE DE MASQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/049240    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/020276
Date de publication : 11.05.2006 Date de dépôt international : 04.11.2005
CIB :
H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : HOYA CORPORATION [JP/JP]; 7-5, Naka-Ochiai 2-chome Shinjuku-ku, Tokyo 1618525 (JP) (Tous Sauf US).
OHKUBO, Yasushi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OHKUBO, Yasushi; (JP)
Mandataire : IKEDA, Noriyasu; The Third Mori Building 4-10, Nishishinbashi 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-323444 08.11.2004 JP
Titre (EN) MASK BLANK MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’ÉBAUCHE DE MASQUE
(JA) マスクブランクの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A mask blank manufacturing method comprising a thin-film forming step of forming a thin film to serve as a mask pattern on the mask blank substrate and a resist film forming step of forming a resist film on the thin film further comprises a step of storing resist film formation information including date information on the date when the resist film is formed on the thin film, a step of associating the resist film formation information with the mask blank, a step of detecting a mask blank in which the variation in sensitivity of the resist film formed on the mask blank is out of the allowable range, a step of removing the resist film formed over the detected mask blank, and a step of forming a resist film again on the thin film from which the former resist film has been removed.
(FR)L’invention concerne un procédé de fabrication d’ébauche de masque comprenant une phase de formation de film mince devant servir de motif de masque sur le substrat d’ébauche de masque et une phase de formation de film résist consistant à produire un film résist sur le film mince, englobant en outre une phase de stockage d’informations de formation de film résist englobant des informations de date indiquant la date de formation du film résist sur le film mince, une phase d’association des informations de formation de film résist avec l’ébauche de masque, une phase de détection d’une ébauche de masque dans laquelle la variation de sensibilité du film résist formé sur l’ébauche de masque sort de la plage admissible, une phase consistant à retirer le film résist formé sur l’ébauche de masque détectée, et une phase consistant à former à nouveau un film résist sur le film mince duquel on a enlevé l’ancien film résist.
(JA) マスクブランク用基板上にマスクパターンとなる薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記薄膜上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程とを有するマスクブランクの製造方法であって、前記レジスト膜を前記薄膜上に形成した日付情報を含むレジスト膜形成情報を保存する工程と、前記レジスト膜形成情報と前記マスクブランクとを対応させる工程と、前記レジスト膜形成情報に基づき、前記マスクブランクに形成されたレジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクを特定する工程と、前記特定したマスクブランクに形成されたレジスト膜を剥離する工程と、前記レジスト膜を剥離した前記薄膜上に再度レジスト膜を形成する工程とを有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)