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1. (WO2006049199) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM ISOLANT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/049199    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/020190
Date de publication : 11.05.2006 Date de dépôt international : 02.11.2005
CIB :
H01L 21/318 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GW, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, SY, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW only).
SATO, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAYAMA, Tomoe [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOBAYASHI, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OSAKI, Yoshinori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKAHASHI, Tetsuro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SATO, Yoshihiro; (JP).
NAKAYAMA, Tomoe; (JP).
KOBAYASHI, Hiroshi; (JP).
OSAKI, Yoshinori; (JP).
TAKAHASHI, Tetsuro; (JP)
Mandataire : TAKAYAMA, Hiroshi; 7th Floor Daiichi Shinwa Building 10-8, Akasaka 2-chome Minato-ku, Tokyo 107-0052 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-320743 04.11.2004 JP
2005-251820 31.08.2005 JP
Titre (EN) INSULATING FILM FORMING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM ISOLANT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 絶縁膜形成方法および基板処理方法
Abrégé : front page image
(EN)In a method for forming an insulating film by performing plasma nitriding process to an oxide film on a substrate and then by annealing the substrate in a process chamber (51), the substrate is annealed under a low pressure of 667Pa or lower. The annealing is performed for 5 to 45 seconds. The plasma nitriding process is performed by microwave plasma by using a planar antenna whereupon a multitude of transmitting holes are formed.
(FR)Dans un procédé de formation d’un film isolant consistant à réaliser une nitruration plasma d’un film d’oxyde sur un substrat et à recuire le substrat dans une chambre de traitement (51), le substrat est recuit sous une faible pression inférieure ou égale à 667Pa. Le recuit dure 5 à 45 secondes. Le processus de nitruration plasma est réalisé par plasma micro-ondes avec une antenne plane sur laquelle sont formés une multitude de trous de transmission.
(JA) 基板上の酸化膜に対してプラズマ窒化処理し、その後当該基板を処理容器51内でアニール処理して絶縁膜を形成する方法において、667Pa以下の低圧力の下でアニール処理を行う。アニール処理は5秒~45秒間行われる。プラズマ窒化処理の際には、多数の透孔が形成されている平板アンテナを用いたマイクロ波プラズマによってプラズマ窒化処理する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)