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1. (WO2006049130) PROCEDE POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/049130    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/020013
Date de publication : 11.05.2006 Date de dépôt international : 31.10.2005
CIB :
H01L 21/318 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01)
Déposants : HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 14-1, Sotokanda 4-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1018980 (JP) (Tous Sauf US).
TERASAKI, Tadashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIRANO, Akito [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAYAMA, Masanori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OGAWA, Unryu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TERASAKI, Tadashi; (JP).
NAKAYAMA, Masanori; (JP).
OGAWA, Unryu; (JP)
Mandataire : MIYAMOTO, Haruhiko; c/o KOYO INTERNATIONAL PATENT AND LAW FIRM 5F., Nikko Kagurazaka Bldg. 18, Iwatocho, shinjuku-ku Tokyo 1620832 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-321439 05.11.2004 JP
2005-137308 10.05.2005 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device wherein a silicon oxide film formed on a foundation is subjected to plasma nitridation using nitrogen which is activated by a plasma, and then subjected to thermal nitridation in a gaseous atmosphere including a compound containing a nitrogen atom, thereby forming a silicon oxynitride film having nitrogen concentration peaks near the surface of the silicon oxide film and near the interface of the silicon oxide film with the foundation.
(FR)L’invention concerne un procédé pour fabriquer un dispositif à semi-conducteur selon lequel un film d’oxyde de silicium formé sur une fondation est soumis à une nitruration de plasma à l’aide d’azote qui est activé par un plasma, et ensuite soumis à une nitruration thermique dans une atmosphère gazeuse comprenant un composé contenant un atome d’azote, formant de ce fait un film d’oxynitrure de silicium ayant des pointes de concentrations d’azote près de la surface du film d’oxyde de silicium et près de l’interface du film d’oxyde de silicium avec la fondation.
(JA) 半導体装置の製造方法においては、下地上に形成された酸化珪素膜に対し、プラズマにより活性化された窒素によりプラズマ窒化処理を行った後、窒素原子を含有する化合物を含むガス雰囲気での熱窒化処理を行って、酸化珪素膜の表面近傍および酸化珪素膜の下地との界面近傍それぞれに窒素濃度ピークを有する酸窒化珪素膜を形成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)