WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2006049102) DISPOSITIF CAPTEUR D’IMAGE À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/049102    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/019913
Date de publication : 11.05.2006 Date de dépôt international : 28.10.2005
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/335 (2011.01), H04N 5/357 (2011.01), H04N 5/369 (2011.01), H04N 5/374 (2011.01), H04N 5/3745 (2011.01), H04N 5/376 (2011.01), H04N 101/00 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
UCHIDA, Mikiya; (US Seulement).
MIMURO, Ken; (US Seulement).
OCHI, Mototaka; (US Seulement)
Inventeurs : UCHIDA, Mikiya; .
MIMURO, Ken; .
OCHI, Mototaka;
Mandataire : IKEUCHI SATO & PARTNER PATENT ATTORNEYS; 26th Floor, OAP TOWER 8-30, Tenmabashi 1-chome, Kita-ku Osaka-shi, Osaka 5306026 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-319614 02.11.2004 JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE
(FR) DISPOSITIF CAPTEUR D’IMAGE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 固体撮像装置
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor substrate (1) of a solid-state image pickup device is provided with a plurality of photosensitive cells arranged in matrix with a photodiode on each, and a peripheral driving circuit which has a plurality of transistors and drives the photosensitive cells. As the transistors, a first transistor having a first diffusion layer (2) as a source or a drain to which a signal potential corresponding to a signal charge generated by the photodiode is transmitted to be held, and a second transistor having a second diffusion layer as a source and a drain to which the signal potential is not transmitted. An edge interval (D1) between an edge of a metal silicide layer (4) formed on the surface of the first diffusion layer of the first transistor and an edge of a gate electrode (6) is larger than an edge interval between an edge of a metal silicide layer formed on the surface of the second diffusion layer of the second transistor and the edge of a gate electrode. A leak current at the transistor of the peripheral driving circuit is suppressed, and picked up image information can be highly accurately held.
(FR)Le substrat semi-conducteur (1) d’un dispositif capteur d’image à semi-conducteur est pourvu d’une pluralité de cellules photosensibles disposées en matrice, comportant chacune une photodiode et un circuit de pilotage périphérique possédant une pluralité de transistors et pilotant les cellules photosensibles. En ce qui concerne les transistors, il existe un premier transistor ayant une première couche de diffusion (2) en tant que source ou drain auquel un potentiel de signal correspondant à une charge de signal générée par la photodiode est transmis pour être conservé et un deuxième transistor ayant un deuxième couche de diffusion en tant que source et un drain auquel le potentiel de signal n’est pas transmis. Un intervalle d’arête (D1) entre une arête de couche de métal au silicium (4) formée à la surface de la première couche de diffusion du premier transistor et une arête d’une électrode de grille (6) est plus grand qu’un intervalle d’arête entre une arête d’une couche de métal au silicium formée à la surface de la deuxième couche de diffusion du deuxième transistor et l’arête d’une électrode de grille. Un courant de fuite du transistor du circuit de pilotage périphérique est supprimé et des informations d’image captée peuvent être conservées de façon très précise.
(JA) 半導体基板(1)上に、マトリックス状に配置されフォトダイオードを各々に有する複数の感光セルと、複数のトランジスタを有し複数の感光セルを駆動するための周辺駆動回路とを備えた固体撮像装置。複数のトランジスタとして、フォトダイオードで生成された信号電荷に対応する信号電位が伝達され保持される第1拡散層(2)をソースまたはドレインとする第1トランジスタと、信号電位が伝達されない第2拡散層をソースおよびドレインとする第2トランジスタとを備える。第1トランジスタにおける第1拡散層の表面に形成された金属シリサイド層(4)の端縁とゲート電極(6)の端縁との間のエッジ間隔(D1)が、第2トランジスタにおける第2拡散層の表面に形成された金属シリサイド層の端縁とゲート電極の端縁との間のエッジ間隔よりも大きい。周辺駆動回路のトランジスタにおけるリーク電流を抑制し、撮像した画像情報を高精度で保持できる。                                                                               
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)