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1. (WO2006049059) COMPOSÉ MÉTALLIQUE, MATÉRIAU PERMETTANT DE FORMER UNE COUCHE MINCE, ET MÉTHODE DE FABRICATION DE COUCHE MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/049059    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/019690
Date de publication : 11.05.2006 Date de dépôt international : 26.10.2005
CIB :
C07C 215/08 (2006.01), C23C 16/40 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), C07F 9/00 (2006.01)
Déposants : ADEKA CORPORATION [JP/JP]; 2-35, Higashiogu 7-chome, Arakawa-ku, Tokyo 1168554 (JP) (Tous Sauf US).
YOSHINAKA, Atsuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKURAI, Atsushi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YOSHINAKA, Atsuya; (JP).
SAKURAI, Atsushi; (JP)
Mandataire : HATORI, Osamu; Akasaka HKN BLDG. 6F 8-6, Akasaka 1-chome Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-318858 02.11.2004 JP
Titre (EN) METAL COMPOUND, THIN FILM-FORMING MATERIAL, AND METHOD FOR PRODUCING THIN FILM
(FR) COMPOSÉ MÉTALLIQUE, MATÉRIAU PERMETTANT DE FORMER UNE COUCHE MINCE, ET MÉTHODE DE FABRICATION DE COUCHE MINCE
(JA) 金属化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a metal compound represented by the general formula (I) below which is preferably used as a precursor in a thin film production method comprising a vaporization step, particularly in a CVD method including ALD. (I) (In the formula, M represents tantalum or niobium, R1 represents an alkyl group having 1-4 carbon atoms, and R2 and R3 independently represent a hydrogen atom, a methyl group or a ethyl group.)
(FR)La présente invention a pour objet un composé métallique de formule générale (I) ci-dessous qui est employé préférentiellement en tant que précurseur dans une méthode de fabrication de couche mince comprenant une étape de vaporisation, plus particulièrement une méthode de type dépôt chimique en phase vapeur (CVD) impliquant le dépôt de couches atomiques (ALD). (I) (Dans la formule, M représente le tantale ou le niobium, R1 représente un groupement alkyle en C1-C4, et R2 et R3 représentent chacun un atome d'hydrogène, un groupement méthyle ou un groupement éthyle, ces groupements pouvant être différents les uns des autres.)
(JA)not available
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)