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1. (WO2006049055) ÉQUIPEMENT DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/049055    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/019670
Date de publication : 11.05.2006 Date de dépôt international : 26.10.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    29.03.2006    
CIB :
H01L 21/31 (2006.01)
Déposants : HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 14-20, Higashi-Nakano 3-chome, Nakano-ku, Tokyo 1648511 (JP) (Tous Sauf US).
NAKASHIMA, Seiyo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TANIYAMA, Tomoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUZAKI, Kenichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKASHIMA, Yoshikazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAKASHIMA, Seiyo; (JP).
TANIYAMA, Tomoshi; (JP).
SUZAKI, Kenichi; (JP).
TAKASHIMA, Yoshikazu; (JP)
Mandataire : KAJIWARA, Tatuya; I-201, Central Nishi-Shinjuku 9-5, Nishi-Shinjuku 8-chome Shinjuku-ku, Tokyo 1600023 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-318194 01.11.2004 JP
Titre (EN) SUBSTRATE PROCESSING EQUIPMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) ÉQUIPEMENT DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A gas flow in a load-lock system preliminary chamber is improved. Load-lock system substrate processing equipment is provided with a processing chamber (34) for storing and processing a substrate (1); the preliminary chamber (23) continuously arranged to the processing chamber (31); a substrate holding mechanism part (40) for carrying in and carrying out a substrate holding tool (50), which is holding the plurality of substrates (1), to and from the processing chamber (31); an inert gas supplying port (61) for supplying the preliminary chamber (23) with an inert gas; a first exhaust port (71) provided upper than the inert gas supplying port (61) in the preliminary chamber (23) to exhaust the inert gas; a second exhaust port (81) for vacuumizing the preliminary chamber (23); and a control part (100) for controlling the inert gas supplied from the inert gas supplying port (61) to be exhausted only from the first exhaust port (71) at the time of maintaining the preliminary chamber (23) vacuumized by the second exhaust port (81) under a prescribed pressure after increasing the pressure of the preliminary chamber (23).
(FR)L’invention permet d'améliorer un écoulement de gaz dans une chambre préliminaire à circuit de verrouillage de charge. L’équipement de traitement de substrat à circuit de verrouillage de charge comporte une chambre de traitement (34) pour stocker et traiter un substrat (1) ; la chambre préliminaire (23) disposée de manière continue par rapport à la chambre de traitement (31) ; une pièce de mécanisme de maintien de substrat (40) pour faire rentrer et sortir un outil de maintien de substrat (50), qui maintient la pluralité de substrats (1), vers et en dehors de la chambre de traitement (31) ; un orifice d’arrivée de gaz inerte (61) permettant d’alimenter la chambre préliminaire (23) avec un gaz inerte ; un premier orifice d’échappement (71) disposé plus haut que l’orifice d’arrivée de gaz inerte (61) dans la chambre préliminaire (23) pour évacuer le gaz inerte ; un second orifice d’échappement (81) pour faire le vide dans la chambre préliminaire (23) ; et une pièce de commande (100) pour contrôler le gaz inerte arrivant de l’orifice d’arrivée de gaz inerte (61) à évacuer uniquement du premier orifice d’échappement (71) tout en maintenant la chambre préliminaire (23) sous vide par le second orifice d’échappement (81) à une pression prescrite après avoir augmenté la pression de la chambre préliminaire (23).
(JA) ロードロック方式の予備室におけるガスの流れを改善する。  ロードロック方式の基板処理装置は、基板(1)を収容して処理する処理室(34)と、処理室(31)に連設された予備室(23)と、複数枚の基板(1)を保持した基板保持具(50)を処理室(31)に搬入および搬出する基板保持具用機構部(40)と、予備室(23)に不活性ガスを供給する不活性ガス供給口(61)と、不活性ガス供給口(61)よりも上側となるように予備室(23)に設けられて不活性ガスを排気する第一の排気口(71)と、予備室(23)を真空引きする第二の排気口(81)と、第二の排気口(81)により真空引きした予備室(23)内を昇圧してから所定圧力に維持する際に、不活性ガス供給口(61)から供給された不活性ガスを第一の排気口(71)からのみ排気するように制御する制御部(100)と、を備えている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)