WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2006048982) CAPUCHON POUR SCELLEMENT ÉTANCHE À L’AIR, PROCÉDÉ DE FABRICATION DUDIT CAPUCHON ET PAQUET DE RÉCEPTION DES PIÈCES ÉLECTRONIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/048982    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/017599
Date de publication : 11.05.2006 Date de dépôt international : 26.09.2005
CIB :
H01L 23/02 (2006.01)
Déposants : NEOMAX MATERIALS Co., Ltd. [JP/JP]; 2-19-1 Minami-Suita, Suita-shi, Osaka 5640043 (JP) (Tous Sauf US).
YAMAMOTO, Masaharu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKANO, Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIRA, Junji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAMAMOTO, Masaharu; (JP).
TAKANO, Kenji; (JP).
HIRA, Junji; (JP)
Mandataire : MIYAZONO, Hirokazu; 7th FL., Shin-Nakajima BLDG. 9-20, Nishinakajima 1-chome Yodogawa-ku, Osaka-shi Osaka 5320011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-321631 05.11.2004 JP
Titre (EN) CAP FOR AIRTIGHT SEALING, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME AND PACKAGE FOR ELECTRONIC PART ACCOMMODATION
(FR) CAPUCHON POUR SCELLEMENT ÉTANCHE À L’AIR, PROCÉDÉ DE FABRICATION DUDIT CAPUCHON ET PAQUET DE RÉCEPTION DES PIÈCES ÉLECTRONIQUES
(JA) 気密封止用キャップ、気密封止用キャップの製造方法および電子部品収納用パッケージ
Abrégé : front page image
(EN)Cap for airtight sealing (1) that not only suppresses any deterioration of the properties of electronic parts (20) to thereby reduce material costs but also enables use of Pb-free solders, and that is capable of suppressing any airtightness deterioration. This cap for airtight sealing comprises low thermal expansion layer (2); Ni-Co alloy layer (3) superimposed on the surface of the low thermal expansion layer and composed mainly of Ni wherein a diffusion acceleration material is contained; Ni layer (4) superimposed on the surface of the Ni-Co alloy layer; and solder layer (5) superimposed on the surface of the Ni layer at regions for bonding of electronic part accommodation member (10) and composed mainly of Sn. The Ni layer has the functions of not only suppressing any diffusion of the Ni-Co alloy layer into the solder layer at about 235°C (first temperature) but also at bonding of the solder layer with the electronic part accommodation member at about 300° to about 320°C (second temperature), diffusing the Ni-Co alloy layer via the Ni layer into the solder layer.
(FR)L’invention concerne un capuchon pour scellement étanche à l’air (1) éliminant non seulement toute détérioration des propriétés des pièces électroniques (20) pour ainsi réduire les coûts de matériaux, mais permettant également l’utilisation de brasages exempts de Pb, et capable de supprimer toute détérioration de l'étanchéité à l’air. Ce capuchon pour scellement étanche à l’air comprend une couche de faible expansion thermique (2) ; une couche d’alliage Ni-Co (3) superposée à la surface de la couche de faible expansion thermique et composée principalement de Ni contenant un matériau d’accélération de diffusion ; une couche Ni (4) superposée à la surface de la couche d’alliage Ni-Co ; et une couche de brasage (5) superposée à la surface de la couche Ni en certaines régions pour permettre l’adhérence de l’élément de réception de pièces électroniques (10) et composée principalement de Sn. La couche Ni permet non seulement de supprimer toute diffusion de la couche d’alliage Ni-Co dans la couche de brasage à environ 235°C (première température) mais également lors du collage de la couche de brasage avec l’élément de réception de pièces électroniques entre 300° et 320°C environ (seconde température), de diffuser la couche d’alliage Ni-Co via la couche Ni dans la couche de brasage.
(JA) 電子部品(20)の特性が劣化するのを抑制し、材料コストを低減するとともに、Pbを含まない半田を使用することができ、かつ、気密性が低下するのを抑制することが可能な気密封止用キャップ(1)が得られる。この気密封止用キャップは、低熱膨張層(2)と、低熱膨張層の表面上に形成され、拡散促進材を含むNiを主成分とするNi-Co合金層(3)と、Ni-Co合金層の表面上に形成されるNi層(4)と、Ni層の表面上の電子部品収納部材(10)が接合される領域に形成されるSnを主成分とする半田層(5)とを備えている。Ni層は、Ni-Co合金層が約235°C(第1の温度)で半田層に拡散するのを抑制するとともに、半田層が約300°C~約320°C(第2の温度)で電子部品収納部材と接合する際に、Ni-Co合金層をNi層を介して半田層に拡散させる機能を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)