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1. (WO2006048965) DISPOSITIF D’IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS DE TYPE AMPLIFICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/048965    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/013732
Date de publication : 11.05.2006 Date de dépôt international : 27.07.2005
CIB :
H01L 27/14 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/335 (2011.01), H04N 5/357 (2011.01), H04N 5/369 (2011.01), H04N 5/374 (2011.01), H04N 5/3745 (2011.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
FUJIOKA, Takashi; (US Seulement).
MASUYAMA, Masayuki; (US Seulement).
INAGAKI, Makoto; (US Seulement)
Inventeurs : FUJIOKA, Takashi; .
MASUYAMA, Masayuki; .
INAGAKI, Makoto;
Mandataire : IKEUCHI SATO & PARTNER PATENT ATTORNEYS; 26th Floor, OAP TOWER, 8-30, Tenmabashi 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5306026 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-322618 05.11.2004 JP
Titre (EN) AMPLIFICATION TYPE SOLID STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D’IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS DE TYPE AMPLIFICATION
(JA) 増幅型固体撮像装置
Abrégé : front page image
(EN)An amplification type solid state imaging device comprising a light receiving section (10) formed by arranging a plurality of pixels for converting incident light into signal charges and outputting an electric signal dependent on the quantity of signal charges one-dimensionally or two-dimensionally on a semiconductor substrate (7), a reading means for reading out electric signals from the plurality of pixels sequentially, a noise removing circuit (11) for suppressing false signal of the electric signals read out by the reading means, and a first light shielding layer (1) located on an upper part of the light receiving section (10) and limiting incidence of light to the part of the pixel other than a photoelectric converting part (10a). A second light shielding layer (2) for limiting incidence of light to the noise removing circuit (11) is further provided on an upper part of the noise removing circuit (11).
(FR)Dispositif d’imagerie à semi-conducteurs de type amplification comprenant une section de réception de lumière (10) constituée en disposant une pluralité de pixels pour convertir de la lumière incidente en des charges de signal et fournir un signal électrique dépendant de la quantité de charges de signal unidimensionnellement ou bidimensionnellement sur un substrat semi-conducteur (7), un moyen de lecture pour lire séquentiellement des signaux électriques d’une pluralité de pixels, un circuit d’élimination de bruit (11) pour supprimer de faux signaux des signaux électriques lus par le moyen de lecture, et une première couche de blindage de lumière (1) située sur une partie supérieure de la section de réception de lumière (10) et limitant l’incidence de lumière sur la partie de pixel autre qu’une partie de conversion photoélectrique (10a). Une deuxième couche de blindage de lumière (2) pour limiter l’incidence de lumière sur le circuit d’élimination de bruit (11) figure, en outre, sur une partie supérieure du circuit d’élimination de bruit (11).
(JA) 入射光を信号電荷に変換して信号電荷の量に応じた電気信号を出力する複数の画素を半導体基板7上に一次元状または二次元状に配置して形成した受光部10と、複数の画素それぞれから電気信号を順次読み出す読み出し手段と、読み出し手段から読み出された電気信号の偽信号抑制を行うノイズ除去回路11と、受光部10の上部に位置し、画素の光電変換部10a以外への光の入射を制限する第1の遮光層1とを少なくとも有する増幅型固体撮像装置を用いる。ノイズ除去回路11の上部に、ノイズ除去回路11への光の入射を制限する第2の遮光層2を更に設ける。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)