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1. (WO2006048957) DIAMANT MONOCRISTALLIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/048957    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/009688
Date de publication : 11.05.2006 Date de dépôt international : 26.05.2005
CIB :
C30B 29/04 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5410041 (JP) (Tous Sauf US).
YAMAMOTO, Yoshiyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MEGURO, Kiichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IMAI, Takahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAMAMOTO, Yoshiyuki; (JP).
MEGURO, Kiichi; (JP).
IMAI, Takahiro; (JP)
Mandataire : SAKAI, Masami; Akasaka Office Heights, 13-5, Akasaka 4-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-322048 05.11.2004 JP
2005-117948 15.04.2005 JP
Titre (EN) SINGLE-CRYSTAL DIAMOND
(FR) DIAMANT MONOCRISTALLIN
(JA) 単結晶ダイヤモンド
Abrégé : front page image
(EN)A single-crystal diamond grown according to a vapor-phase synthesizing method characterized in that a phase difference between two linearly polarized lights orthogonal to each other which as a result of irradiating of one main plane of crystal with a linearly polarized radiation regarded as being synthesized from two linearly polarized lights orthogonal to each other, have been emitted from the opposite main plane is a maximum of 50 nm or less per 100 μm of crystal thickness throughout the crystal. This single-crystal diamond is an unprecedented single-crystal diamond of large size and high quality that has properties extremely desired in semiconductor device substrates and optical part applications requiring low strain.
(FR)La présente invention concerne un diamant monocristallin fabriqué selon un procédé de production en phase vapeur caractérisé en ce qu’une différence de phase entre deux lumières polarisées linéairement et orthogonales l’une par rapport à l’autre qui, comme résultat de l’irradiation d'un plan principal du cristal avec une irradiation polarisée linéairement considérée comme étant synthétisée à partir de deux lumières polarisées linéairement et orthogonales l’une par rapport l’autre, ont été émises à partir du plan principal opposé, mesure un maximum de 50 nm ou moins par 100 µm d’épaisseur de cristaux partout dans le cristal. Le diamant monocristallin de l’invention est un diamant monocristallin sans précédent d’une grande dimension et de haute qualité qui possède des propriétés extrêmement souhaitées dans les substrats de dispositifs semi-conducteurs et dans les applications de pièces optiques qui nécessitent une faible contrainte.
(JA) 1主面から2つの互いに直交する直線偏光の合成とみなされる直線偏光を照射して、対面の主面から出射した2つの互いに直交する直線偏光の位相差が、結晶全体にわたり、結晶厚さ100μmあたり最大50nm以下であることを特徴とする気相合成法により成長された単結晶ダイヤモンドである。前記単結晶ダイヤモンドは、これまでに得られなかった大型かつ高品質の単結晶ダイヤモンドであり、半導体デバイス用基板、更には低歪が要求される光学部品応用において極めて望ましい諸特性を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)