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1. (WO2006048387) DISPOSITIF A SEMICONDUCTEURS ET PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/048387    N° de la demande internationale :    PCT/EP2005/055463
Date de publication : 11.05.2006 Date de dépôt international : 21.10.2005
CIB :
H01L 29/872 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01), H01L 21/329 (2006.01), H01L 29/866 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20, 70442 Stuttgart (DE) (Tous Sauf US).
GOERLACH, Alfred [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
QU, Ning [CN/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : GOERLACH, Alfred; (DE).
QU, Ning; (DE)
Représentant
commun :
ROBERT BOSCH GMBH; Postfach 30 02 20, 70442 Stuttgart (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2004 053 761.5 08.11.2004 DE
Titre (DE) HALBLEITEREINRICHTUNG UND VERFAHREN FÜR DEREN HERSTELLUNG
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) DISPOSITIF A SEMICONDUCTEURS ET PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine Halbleitereinrichtung (30) umfassend eine Trench-Junction-Barrier-Schottky-Diode mit integrierter PN-Diode, sowie Verfahren für deren Herstellung.
(EN)The invention relates to a semiconductor device (30) comprising a Schottky diode of the trench-junction-barrier-type with integrated pn diode, and method for producing the same.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semiconducteurs (30) comportant une diode Schottky à jonction de tranchée présentant une diode PN intégrée. L'invention concerne également un procédé destiné à la fabrication dudit dispositif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)