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1. (WO2006048319) PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE CELLULE SOLAIRE SENSIBLE A LA LUMIERE DES DEUX COTES, ET CELLULE SOLAIRE SENSIBLE A LA LUMIERE DES DEUX COTES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/048319    N° de la demande internationale :    PCT/EP2005/011883
Date de publication : 11.05.2006 Date de dépôt international : 07.11.2005
CIB :
H01L 31/0224 (2006.01)
Déposants : INSTITUT FÜR SOLARENERGIEFORSCHUNG GMBH [DE/DE]; Am Ohrberg 1, 31860 Emmerthal (DE) (Tous Sauf US).
TEPPE, Andreas [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
MEYER, Rüdiger [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
ENGELHART, Peter [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : TEPPE, Andreas; (DE).
MEYER, Rüdiger; (DE).
ENGELHART, Peter; (DE)
Mandataire : MAIWALD PATENTANWALTS GMBH; Elisenhof, Elisenstr. 3, 80335 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2004 053 873.5 07.11.2004 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER BEIDSEITIG LICHTEMPFINDLICHEN SOLARZELLE UND BEIDSEITIG LICHTEMPFINDLICHE SOLARZELLE
(EN) METHOD FOR PRODUCING A TWO-SIDE LIGHT-SENSITIVE SOLAR CELL AND DOUBLE-SIDED LIGHT-SENSITIVE SOLAR CELL
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE CELLULE SOLAIRE SENSIBLE A LA LUMIERE DES DEUX COTES, ET CELLULE SOLAIRE SENSIBLE A LA LUMIERE DES DEUX COTES
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer beidseitig lichtempfindlichen Solarzelle (10) sowie eine solche selbst. Es wird vorgeschlagen, ein Halbleitersubstrat (11) zu verwenden, auf dessen Rückseite (13) lokal erhabene stegförmige Strukturen (14) und linien- oder bandförmige Vertiefungen (15, 16) erzeugt werden. Es wird weiterhin vorgeschlagen, dass auf jeweils nur einer der beiden Längswände dieser Vertiefungen (18, 19), nicht aber auf den jeweils gegenüberliegenden anderen Längswänden (20, 21) dieser Vertiefungen und/oder auf den Plateaus (17) sowohl erste als auch zweite Kontakte (22, 23) zum Sammeln von Minoritäts bzw. Majoritätsladungsträgern angebracht werden.
(EN)The invention relates to a method for producing a double-sided light-sensitive solar cell (10). According to said invention, a semiconductor substance (11) whose rear face (13) is embodied in the form of web-shaped locally elevated structures (14) and line- or strip-shaped recesses (15, 16) is used. In addition, first and second contacts (22, 23) for collecting minority or majority charge carriers are disposed on one of two longitudinal sides (18, 19) of said recesses, respectively and not on the other longitudinal sides (20, 21) opposite to said recesses and/or on a plate (17).
(FR)L'invention concerne un procédé pour produire une cellule solaire (10) sensible à la lumière des deux côtés, ainsi qu'une cellule solaire sensible à la lumière des deux côtés. Selon l'invention, un substrat semi-conducteur (11) dont la face arrière (13) comporte des structures se présentant sous la forme d'éléments de liaison localement convexes (14), ainsi que des creux en forme de lignes ou de bandes (15, 16) est utilisé. En outre, des premiers et des deuxièmes contacts (22, 23) servant à rassembler des porteurs de charges minoritaires ou majoritaires sont ménagés sur respectivement une seule des deux parois longitudinales (18, 19) desdits creux, mais non sur les autres parois longitudinales (20, 21) respectivement opposées desdits creux, et/ou sur les plateaux (17).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)