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1. (WO2006047505) STRUCTURE CRISTALLINE DU DOMAINE KINASE DU C-FMS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/047505    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/038342
Date de publication : 04.05.2006 Date de dépôt international : 20.10.2005
CIB :
C07K 14/715 (2006.01), C12N 9/12 (2006.01), C30B 7/00 (2006.01), G01N 23/20 (2006.01), G06F 19/16 (2011.01), G06F 19/18 (2011.01), G06F 19/28 (2011.01)
Déposants : JANSSEN PHARMACEUTICA, N.V. [BE/BE]; Turnhoutseweg 30, B-2340 Beerse (BE) (Tous Sauf US).
SCHUBERT, Carsten [DE/US]; (US) (US Seulement).
SPRINGER, Barry, A. [US/US]; (US) (US Seulement).
DECKMAN, Ingrid [US/US]; (US) (US Seulement).
PATCH, Raymond, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
STRUBLE, Geoffrey, T. [US/US]; (US) (US Seulement).
MA, Hongchang [CN/US]; (US) (US Seulement).
SCHALK-HIHI, Celine [US/US]; (US) (US Seulement).
BRANDT, Benjamin, M. [US/US]; (US) (US Seulement).
PETROUNIA, Ioanna [GR/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SCHUBERT, Carsten; (US).
SPRINGER, Barry, A.; (US).
DECKMAN, Ingrid; (US).
PATCH, Raymond, J.; (US).
STRUBLE, Geoffrey, T.; (US).
MA, Hongchang; (US).
SCHALK-HIHI, Celine; (US).
BRANDT, Benjamin, M.; (US).
PETROUNIA, Ioanna; (US)
Mandataire : JOHNSON, Philip, S.; Johnson & Johnson, One Johnson & Johnson Plaza, New Brunswick, NJ 08933 (US)
Données relatives à la priorité :
60/620,698 22.10.2004 US
Titre (EN) CRYSTAL STRUCTURE OF THE C-FMS KINASE DOMAIN
(FR) STRUCTURE CRISTALLINE DU DOMAINE KINASE DU C-FMS
Abrégé : front page image
(EN)The present invention includes a crystal structure of the kinase domain of c-fms and a methodology to produce diffraction quality crystals of the c-fms kinase domain by heterologous substitution of the kinase insert domain. Also included in the invention is the structure of the c-fms kinase domain in liganded form for use in the discovery of inhibitors of c-fms for the treatment of diseases caused by inappropriate activity of c-fms. The present invention includes descriptions of the X-ray diffraction patterns of the crystals. The diffraction patterns allow the three dimensional structure of c-fms to be determined at atomic resolution so that ligand binding sites on can be identified and the interactions of ligands with amino acid residues can be modeled.
(FR)La présente invention concerne une structure cristalline du domaine kinase du c-fms et un procédé de production de cristaux de diffraction de qualité du domaine kinase du c-fms par substitution hétérologue du domaine kinase d'insertion. L'invention concerne également la structure du domaine kinase du c-fms sous forme de ligand utilisée dans la découverte d'inhibiteurs du c-fms pour le traitement de maladies causées par une activité inadaptée de c-fms. La présente invention concerne également la description des diagrammes de diffraction des rayons X des cristaux. Les diagrammes de diffraction permettent de déterminer la structure tridimensionnelle du c-fsm selon une résolution atomique afin d'identifier des sites de liaison de ligand, et de modeler les interactions des ligands avec des restes d'acides aminés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)