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1. (WO2006047373) NOUVEAUX PROCEDES DE NETTOYAGE DE COMPOSANTS D'IMPLANTEUR IONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/047373    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/038102
Date de publication : 04.05.2006 Date de dépôt international : 21.10.2005
CIB :
B08B 7/00 (2006.01), B08B 7/04 (2006.01)
Déposants : ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. [US/US]; 7 Commerce Drive Danbury, CT 06810-4169 (US) (Tous Sauf US).
DIMEO, Frank, Jr. [US/US]; (US) (US Seulement).
DIETZ, James [US/US]; (US) (US Seulement).
OLANDER, W., Karl [US/US]; (US) (US Seulement).
KAIM, Robert [US/US]; (US) (US Seulement).
BISHOP, Steven, E. [US/US]; (US) (US Seulement).
NEUNER, Jeffrey, W. [US/US]; (US) (US Seulement).
ARNO, Jose, I. [ES/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : DIMEO, Frank, Jr.; (US).
DIETZ, James; (US).
OLANDER, W., Karl; (US).
KAIM, Robert; (US).
BISHOP, Steven, E.; (US).
NEUNER, Jeffrey, W.; (US).
ARNO, Jose, I.; (US)
Mandataire : FUIERER, Tristan, Anne; Intellectual Property/Technology Law P.O. Box 14329 Research Triangle Park, NC 27709 (US)
Données relatives à la priorité :
10/973,673 26.10.2004 US
Titre (EN) NOVEL METHODS FOR CLEANING ION IMPLANTER COMPONENTS
(FR) NOUVEAUX PROCEDES DE NETTOYAGE DE COMPOSANTS D'IMPLANTEUR IONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method and apparatus for cleaning residue from components of the vacuum chamber and beamline of an ion implanter used in the fabrication of microelectronic devices. To effectively remove residue, the components are contacted with a gas-phase reactive halide composition for sufficient time and under sufficient conditions to at least partially remove the residue. The gas-phase reactive halide composition is chosen to react selectively with the residue, while not reacting with the components of the ion source region of the vacuum chamber.
(FR)L'invention concerne un procédé et un dispositif d'élimination des résidus accumulés sur les composants de la cloche à vide et de la ligne de faisceau d'un implanteur ionique servant à la fabrication de dispositifs microélectroniques. Pour éliminer de manière efficace les résidus, les composants sont mis en contact avec une composition d'halogénure réactive à la phase gazeuse pendant un temps assez long et dans des conditions suffisantes pour éliminer au moins en partie les résidus. La composition d'halogénure réactive à la phase gazeuse est choisie de façon à ne réagir que sélectivement avec le résidu, et non avec les composants de la région de la source d'ions ou de la cloche à vide.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)