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1. (WO2006047117) PROCEDE DE REDUCTION DU GAUCHISSEMENT DE PUCES DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/047117    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/037177
Date de publication : 04.05.2006 Date de dépôt international : 18.10.2005
CIB :
H01L 21/30 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : CHIPPAC, INC. [US/US]; 47400 Kato Road, Fremont, CA 94538 (US) (Tous Sauf US).
PARK, Seung, Wook [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, Tae, Woo [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
PARK, Hyun, Jun [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : PARK, Seung, Wook; (KR).
LEE, Tae, Woo; (KR).
PARK, Hyun, Jun; (KR)
Mandataire : KENNEDY, Bill; Haynes Beffel & Wolfeld LLP, P.O. Box 366, Half Moon Bay, CA 94019 (US)
Données relatives à la priorité :
60/620,750 21.10.2004 US
Titre (EN) METHOD FOR REDUCING SEMICONDUCTOR DIE WARPAGE
(FR) PROCEDE DE REDUCTION DU GAUCHISSEMENT DE PUCES DE SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)An anti-warpage backgrinding tape (11) is secured to the circuit side (12) of a semiconductor wafer (14). The backside (16) of the wafer is background. The backside of the wafer is secured to dicing tape (18) so that the anti-warpage backgrinding tape is exposed. The wafer is diced to create individual die structure (34). The die structure comprises semiconductor die (22) with anti-warpage tape elements (36) on circuit sides of the semiconductor die. A die structure is removed from the dicing tape. The backside of the die of the die structure is adhered to a substrate (24). The anti-warpage tape element is removed from the die. The anti-warpage backgrinding tape is preferably partially or fully transparent to permit sensing of guide markings on the wafer during wafer dicing. The adhesive is preferably a curable adhesive. The adhesion between the anti-warpage tape element and the chosen die may be reduced by the application of heat (38).
(FR)Selon cette invention, un ruban de rectification anti-gauchissement (11) est fixé au côté circuit (12) d'une tranche de semi-conducteur (14). La face arrière (16) de la tranche est rectifiée. La face arrière de la tranche est fixée à un ruban de découpage en dés (18) de façon que le ruban de rectification anti-gauchissement soit exposé. La tranche est découpée en dés de façon qu'une structure de puce individuelle (34) soit créée. La structure de puce comprend une puce de semi-conducteur (22) comportant des éléments de ruban anti-gauchissement (36) sur des côtés circuit de la puce de semi-conducteur. Une structure de puce est retirée du ruban de découpage en dés. La face arrière de la puce de la structure de puce est collée à un substrat (24). L'élément de ruban anti-gauchissement est retiré de la puce. Le ruban de rectification anti-gauchissement est de préférence partiellement ou totalement transparent afin que les marques de guidage puissent être détectées sur la tranche pendant le découpage en dés de la tranche. L'adhésif utilisé est de préférence un adhésif durcissable. L'adhérence entre l'élément de ruban anti-gauchissement et la puce choisie peut être réduite sous l'effet de l'application de chaleur (38).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)