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1. (WO2006047061) PROCEDE DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/047061    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/036059
Date de publication : 04.05.2006 Date de dépôt international : 07.10.2005
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/425 (2006.01)
Déposants : SEMEQUIP INC. [US/US]; 34 Sullivan Road, Unit 21, Billerica, MA 01862 (US) (Tous Sauf US).
RENESAS TECHNOLOGY CORP. [JP/JP]; 4-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-6334 (JP) (Tous Sauf US).
JACOBSON, Dale, C. [US/US]; (US) (US Seulement).
KAWASAKI, Yoji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : JACOBSON, Dale, C.; (US).
KAWASAKI, Yoji; (JP)
Mandataire : PANIAGUAS, John, S.; Katten Muchin Rosenman LLP, 525 West Monroe Street, Chicago, IL 60661-3693 (US)
Données relatives à la priorité :
60/621,112 22.10.2004 US
Titre (EN) USE OF DEFINED COMPOUNDS FOR THE MANUFACTURE OF A MEDICAMENT FOR PREVENTING/ TREATING DISEASES RESULTING FROM SOMATIC MUTATION
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A method of producing ultra shallow junctions (104) for PMOS transistors, which eliminates the need for pre-amorphization implants, is disclosed. The method utilizes octadecaborane, B18H22. In accordance with the present invention, the pre-­amorphizing step may be eliminated, greatly reducing cost per processed wafer. An appropriate process sequence has been suggested to take advantage of cluster ion implantation for PMOS manufacturing. In addition, the novel use of tilted implants for the source/drain extension and for pocket implants has been described.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de produire des jonctions ultra-minces pour des transistors PMOS de façon à rendre superflus les implants de pré-amorphisation. Ce procédé utilise de l'octadécaborane, B18H22. Selon l'invention, l'étape de peut être éliminée, en réduisant considérablement le coût par plaquette traitée. Une séquence de traitement appropriée est proposée afin de profiter de implantation d'ions par grappes pour la fabrication de transistors PMOS. L'invention concerne également la nouvelle utilisation d'implants inclinés pour l'extension source/drain et pour les implants en poches.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)