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1. (WO2006046884) CELLULE DE MEMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/046884    N° de la demande internationale :    PCT/RU2005/000228
Date de publication : 04.05.2006 Date de dépôt international : 27.04.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    08.02.2006    
CIB :
H01L 27/115 (2006.01)
Déposants : TSOI, Bronya [RU/RU]; (RU).
LAVRENTIEV, Vladimir Vladimirovich [RU/RU]; (RU) (US Seulement).
KARTASHOV, Eduard Mikhailovich [RU/RU]; (RU) (US Seulement).
SHEVELEV, Valentin Vladimirovich [RU/RU]; (RU) (US Seulement)
Inventeurs : TSOI, Bronya; (RU).
LAVRENTIEV, Vladimir Vladimirovich; (RU).
KARTASHOV, Eduard Mikhailovich; (RU).
SHEVELEV, Valentin Vladimirovich; (RU)
Mandataire : FIRM 'PATENT SERVICES CENTRE'; ul. Miklukho-Maklaya, 55a Moscow, 117279 (RU)
Données relatives à la priorité :
2004131058 26.10.2004 RU
Titre (EN) MEMORY CELL
(FR) CELLULE DE MEMOIRE
(RU) ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to microelectronic engineering and can be used for producing storing devices. The inventive memory cell is provided with a memory element comprising a first electrode, a second electrode and a dielectric layer disposed between said electrodes, wherein said dielectric layer is made from integrated in a stack N individual uniform films having substantially equal thickness d<80 mkm and N>1. The inventive embodiment of the dielectric layer disposed between the electrodes makes it possible to increase the chargeability thereof and to keep electric charges between electrodes over a long-term period.
(FR)La présente invention relève de la micro-électronique et peut servir à fabriquer des dispositifs de mémoire. La cellule de mémoire selon l'invention comprend un élément mémoire possédant une première électrode, une seconde électrode et une couche diélectrique placée entre ces dernières. Selon l'invention, la couche diélectrique est constituée de N films uniformes distincts, qui sont empilés et présentent une épaisseur d sensiblement égale, inférieure à 80 micromètres, N étant supérieur à 1. Le mode de réalisation selon l'invention de la couche diélectrique placée entre les électrodes du dispositif de mémoire permet d'augmenter la chargeabilité du diélectrique et de conserver les charges électriques entre les électrodes sur une longue durée.
(RU)Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств. В ячейке памяти, запоминающий элемент которой включает первый электрод, второй электрод и слой диэлектрика расположенный между указанными электродами, согласно изобретению, слой диэлектрика выполнен из N отдельных однотипных пленок по существу равной толщины d<80 мкм, объединенных в стопу, где N>1. В результате. Указанное выполнение слоя диэлектрика, расположенного между электродами запоминающего элемента, обеспечивает увеличение способности диэлектрика к заряжению и длительному сохранению электрических зарядов между электродами.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : russe (RU)
Langue de dépôt : russe (RU)