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1. (WO2006046640) SUBSTRAT DE SILICIUM SUR ISOLANT (SOI) EN FIBRES, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT LEDIT SUBSTRAT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/046640    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/019779
Date de publication : 04.05.2006 Date de dépôt international : 27.10.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.08.2006    
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 6-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008322 (JP) (Tous Sauf US).
NARA INSTITUTE of SCIENCE and TECHNOLOGY [JP/JP]; 8916-5. Takayama-cho, Ikoma-shi, Nara 6300192 (JP) (Tous Sauf US).
FUYUKI, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUZUKI, Kenkichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TODA, Sadayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOAIZAWA, Hisashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : FUYUKI, Takashi; (JP).
SUZUKI, Kenkichi; (JP).
TODA, Sadayuki; (JP).
KOAIZAWA, Hisashi; (JP)
Mandataire : KAWAWA, Takaho; Mita-Maruhachi Bldg. 7F 1-10, Mita 3-chome Minato-ku, Tokyo 108-0073 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-314882 28.10.2004 JP
Titre (EN) FIBER SOI SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) SUBSTRAT DE SILICIUM SUR ISOLANT (SOI) EN FIBRES, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT LEDIT SUBSTRAT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) ファイバーSOI基板及びこれを用いた半導体素子並びにその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is an SOI substrate which enables to form a composite device of an MOS integrated circuit and a passive device, while contributing to reduce the size and production cost of a semiconductor device. Specifically disclosed is an SOI substrate (5) having a fiber (1) having a polygonal cross section and a semiconductor thin film (3) which is formed on at least one surface of the fiber (1) and then crystallized thereon. The surface of the fiber (1) is provided with a plurality of grooves (8) extending in the longitudinal direction of the fiber (1) with intervals in transverse direction.
(FR)La présente invention décrit un substrat de silicium sur isolant qui permet de former un dispositif composite constitué d'un circuit intégré MOS et d’un dispositif passif, tout en contribuant à réduire la dimension et le coût de production d'un dispositif semi-conducteur. La présente invention décrit spécifiquement un substrat de silicium sur isolant (5) ayant une fibre (1) présentant une section de coupe transversale polygonale et un film mince semi-conducteur (3) qui est formé sur au moins une surface de la fibre (1), et ensuite cristallisée sur celle-ci. La surface de la fibre (1) possède une pluralité de rainures (8) s'étendant dans le sens longitudinal de la fibre (1) avec des intervalles dans le sens transversal.
(JA)【課題】MOS集積回路と受動素子の複合デバイスが可能で、半導体装置のサイズ並びに製造コストも低減できるSOI基板を提供すること。 【解決手段】多角形の断面を有するファイバー1と、ファイバー1の少なくとも一面上で成膜後に結晶化された半導体薄膜3とを有するファイバーSOI基板5であって、ファイバー1の表面には、ファイバー1の線方向に延び且つ幅方向に間隔をおいて複数配置される溝8が形成されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)