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1. (WO2006046610) MÉMOIRE MAGNÉTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/046610    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/019706
Date de publication : 04.05.2006 Date de dépôt international : 26.10.2005
CIB :
H01L 27/105 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01), G11C 11/15 (2006.01)
Déposants : TDK Corporation [JP/JP]; 1-13-1, Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo 1038272 (JP) (Tous Sauf US).
ASATANI, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ASATANI, Takashi; (JP)
Mandataire : HASEGAWA, Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Ginza First Bldg. 10-6, Ginza 1-chome Chuo-ku, Tokyo 1040061 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-311401 26.10.2004 JP
Titre (EN) MAGNETIC MEMORY
(FR) MÉMOIRE MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気メモリ
Abrégé : front page image
(EN)A magnetic memory (1) is provided with a plurality of storage regions (3). Each of the storage region is provided with TMR elements (4a, 4b) including a first magnetic layer (41) whose magnetization direction changes by external magnetic field, and a write wiring (31) which provides the first magnetic layer (41) with the external magnetic field by a write current. The write wiring (31) is provided with a plurality of wiring parts (31c, 31d) along one plane (41a) of the TMR element (4a), and a plurality of wiring parts (31e, 31f) along the one plane (41a) of the TMR element (4b). The wiring parts (31c, 31d) are arranged on the one plane (41a) of the TMR element (4a) to have the writing currents in a same direction. In the same manner, the wiring parts (31e, 31f) are arranged on the one plane (41a) of the TMR element (4b) to have the writing currents in a same direction.
(FR)Est proposée une mémoire magnétique (1) comportant une pluralité de zones de stockage (3). Chaque zone de stockage est pourvue d’éléments TMR (4a, 4b) incluant une première couche magnétique (41) dont le sens de magnétisation change par un champ magnétique extérieur et un câblage d’écriture (31) qui fournit par un courant d’écriture le champ magnétique externe à la première couche magnétique (41). Le câblage d’écriture (31) comporte une pluralité de parties de câblage (31c, 31d) le long d’un plan (41a) de l’élément TMR (4a) et une pluralité de parties de câblage (31e, 31f) le long du plan (41a) de l’élément TMR (4b). Les parties de câblage (31c, 31d) sont disposées sur le plan (41a) de l’élément TMR (4a) de façon à ce que les courants d’écriture soient dans la même direction. De même, les parties de câblage (31e, 31f) sont disposées sur le plan (41a) de l’élément TMR (4b) de façon à ce que les courants d’écriture soient dans la même direction.
(JA) 磁気メモリ1が備える複数の記憶領域3のそれぞれは、外部磁界によって磁化方向が変化する第1磁性層41を含むTMR素子4a及び4bと、書き込み電流によって第1磁性層41に外部磁界を提供する書き込み配線31とを有する。そして、書き込み配線31は、TMR素子4aの一方の面41aに沿った複数の配線部分31c及び31dと、TMR素子4bの一方の面41aに沿った複数の配線部分31e及び31fとを有する。そして、配線部分31c及び31dは、TMR素子4aの一方の面41a上において互いに書き込み電流が同じ向きになるように配設されている。同様に、配線部分31e及び31fは、TMR素子4bの一方の面41a上において互いに書き込み電流が同じ向きになるように配設されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)