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1. (WO2006046425) DISPOSITIF ET SYSTEME DE STOCKAGE NON VOLATILES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/046425    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/019040
Date de publication : 04.05.2006 Date de dépôt international : 17.10.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.04.2006    
CIB :
G11C 16/34 (2006.01), G06F 12/00 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
TAMURA, Kazuaki; (US Seulement).
IZUMI, Tomoaki; (US Seulement).
KASAHARA, Tetsushi; (US Seulement).
NAKANISHI, Masahiro; (US Seulement).
MATSUNO, Kiminori; (US Seulement).
TOYAMA, Masayuki; (US Seulement).
INOUE, Manabu; (US Seulement).
HONDA, Toshiyuki; (US Seulement)
Inventeurs : TAMURA, Kazuaki; .
IZUMI, Tomoaki; .
KASAHARA, Tetsushi; .
NAKANISHI, Masahiro; .
MATSUNO, Kiminori; .
TOYAMA, Masayuki; .
INOUE, Manabu; .
HONDA, Toshiyuki;
Mandataire : KAWAMIYA, Osamu; AOYAMA & PARTNERS, IMP Bldg., 3-7, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 540-0001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-315451 29.10.2004 JP
Titre (EN) NONVOLATILE STORAGE DEVICE AND NONVOLATILE STORAGE SYSTEM
(FR) DISPOSITIF ET SYSTEME DE STOCKAGE NON VOLATILES
(JA) 不揮発性記憶装置及び不揮発性記憶システム
Abrégé : front page image
(EN)A nonvolatile storage device (3) wherein data can be written and read by an access device (6). The nonvolatile storage device is provided with a plurality of memory cells, and each memory cell is provided with a nonvolatile multiple value memory (5) which has M number (M>3) of threshold voltages and can store multiple value data, and a memory controller (4) which controls data writing/reading of the nonvolatile multiple value memory. For data writing, the memory controller (4) has a first control method wherein only N-number (N<M) of threshold voltage distributions are used among the threshold voltage distributions of the memory cell of the nonvolatile multiple value memory, and a second control method wherein all the threshold voltage distributions are used.
(FR)Cette invention concerne un dispositif de stockage non volatile (3) dans lequel les données peuvent être lues et écrites à l'aide d'un dispositif d'accès (6). Le dispositif de stockage non volatile est prévu avec une pluralité de cellules mémoire, chacune dotée d'une mémoire non volatile à valeur multiple (5) possédant un nombre M (M>3) de tensions seuil, qui peut mémoriser de multiples données de valeur, et avec un contrôleur de mémoire (4) qui contrôle la lecture et l'écriture des données de contrôle de la mémoire non volatile à valeur multiple. En ce qui concerne l'écriture des données, le contrôleur de mémoire (4) possède un premier procédé de contrôle dans lequel seul un nombre N (N<M) de distributions de tension seuil est utilisé parmi les distributions de tension seuil de la cellule de mémoire de la mémoire non volatile à valeur multiple et un second procédé de contrôle dans lequel toutes les distributions de tension seuil sont utilisées.
(JA) アクセス装置(6)によりデータの書き込み、読み出しが可能な不揮発性記憶装置(3)であって、複数のメモリセルを有し、各メモリセルはM個(M>3)の閾値電圧を有し多値データの記憶が可能な不揮発性多値メモリ(5)と、不揮発性多値メモリに対してデータの書き込み及び読み出しの制御を行うメモリコントローラと(4)を備える。メモリコントローラ(4)は、データ書き込み時において、不揮発性多値メモリのメモリセルの閾値電圧分布のうち、N個(N<M)の閾値電圧分布のみを使用する第1の制御方法と、全ての閾値電圧分布を使用する第2の制御方法とを有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)