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1. (WO2006046388) COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR A GRILLE ISOLEE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/046388    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/018406
Date de publication : 04.05.2006 Date de dépôt international : 28.09.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    20.07.2006    
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/331 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01)
Déposants : TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi, 4718571 (JP) (Tous Sauf US).
DENSO CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Showa-cho, Kariya-shi, Aichi, 4488661 (JP) (Tous Sauf US).
TAKAYA, Hidefumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HAMADA, Kimimori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIYAGI, Kyosuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OKURA, Yasushi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUROYANAGI, Akira [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TOKURA, Norihito [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKAYA, Hidefumi; (JP).
HAMADA, Kimimori; (JP).
MIYAGI, Kyosuke; (JP).
OKURA, Yasushi; (JP).
KUROYANAGI, Akira; (JP).
TOKURA, Norihito; (JP)
Mandataire : COSMOS PATENT OFFICE; Annex 2nd Floor, Nagoya Center Building, 2-22, Nishiki 2-chome, Nara-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-316912 29.10.2004 JP
Titre (EN) INSULATED GATE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR A GRILLE ISOLEE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)The invention has an object to provide an insulation gate type semiconductor device and a method for producing the same in which high breakdown voltage and compactness are achieved. The semiconductor device 100 has a plurality of gate trenches 21 and P floating regions 51 formed in the cell area and has terminal trenches 62 and P floating regions 53 formed in the terminal area. In addition, a terminal trench 62 of three terminal trenches 62 (terminal trenches 621, 622, and 623) has a structure similar to that of the gate trench 21, and the other terminal trenches are filled with an insulation substance such as oxide silicon. Also, the P floating regions 51 are areas formed by implanting impurities from the bottom surface of the gate trenches 21, and the P floating regions 53 are areas formed by implanting impurities from the bottom surface of the terminal trenches 62.
(FR)L'invention concerne un composant à semi-conducteur à grille isolée et son procédé de fabrication, ledit composant étant conçu de manière compacte et présentant une tension de claquage élevée. Le composant à semi-conducteur (100) comporte une pluralité de tranchées de grilles (21) et des zones de type P flottantes (51), formées dans la zone d'une cellule, et il comporte des tranchées de borne (62) et des zones de type P flottantes (53) formées dans la zone de borne. De plus, une tranchée de borne (62) parmi trois tranchées de borne (62) (les tranchées de borne 621, 622 et 623) présente une structure semblable à celle de la tranchée de grille (21) et les autres tranchées de borne sont remplies d'une substance d'isolement telle qu'un silicium - oxyde. De même, les zones de type P flottantes (51) sont des zones formées par implantation d'impuretés depuis la surface inférieure des tranchées de grilles (21) et les zones de type P flottantes (53) sont des zones formées par implantation d'impuretés à partir de la surface inférieure des tranchées de borne (62).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)