WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2006046386) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM, PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, PROGRAMME ET SUPPORT D’ENREGISTREMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/046386    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/018287
Date de publication : 04.05.2006 Date de dépôt international : 03.10.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.08.2006    
CIB :
H01L 21/3205 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01), C23C 16/18 (2006.01), C23C 16/50 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-Chome, Minato-Ku, Tokyo 1078481 (JP) (Tous Sauf US).
KOJIMA, Yasuhiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YOSHII, Naoki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KOJIMA, Yasuhiko; (JP).
YOSHII, Naoki; (JP)
Mandataire : ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower 20-3, Ebisu 4-Chome Shibuya-Ku, Tokyo 1506032 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-312497 27.10.2004 JP
Titre (EN) FILM FORMING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE, PROGRAM AND RECORDING MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM, PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, PROGRAMME ET SUPPORT D’ENREGISTREMENT
(JA) 成膜方法、半導体装置の製造方法、半導体装置、プログラムおよび記録媒体
Abrégé : front page image
(EN)Bonding between a Cu diffusion preventing film and a Cu wiring in a semiconductor device is improved and reliability of the semiconductor device is improved. A film forming method for forming a Cu film on a substrate to be processed is provided with a first process of forming a bonding film on the Cu diffusion preventing film formed on the substrate to be processed, and a second process of forming a Cu film on the bonding film. The bonding film includes Pd.
(FR)La présente invention concerne une liaison améliorée entre un film empêchant la diffusion du Cu et un câblage en Cu dans un dispositif semi-conducteur et une fiabilité améliorée du dispositif semi-conducteur. La présente invention concerne également un procédé de formation de film pour former un film de Cu sur un substrat à traiter avec un premier procédé de formation d’un film de liaison sur le film empêchant la diffusion du Cu sur le substrat à traiter, et un second procédé de formation d’un film de Cu sur le film de liaison. Le film de liaison comprend du Pd.
(JA) 本発明は、半導体装置のCu拡散防止膜とCu配線との密着力を良好とし、半導体装置の信頼性を良好とすることを目的としている。  そのため、本発明では、被処理基板上にCu膜を成膜する成膜方法であって、前記被処理基板上に形成されたCu拡散防止膜上に密着膜を形成する第1の工程と、前記密着膜上にCu膜を成膜する第2の工程と、を有し、前記密着膜はPdを含むことを特徴とする成膜方法を用いる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)