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1. (WO2006045201) FILMS MOLECULAIRES DOPES AVEC DU FULLERENE ET DU FLUORURE ALCALIN ET APPLICATIONS POUR DISPOSITIFS ELECTROLUMINESCENTS P-I-N
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/045201    N° de la demande internationale :    PCT/CA2005/001655
Date de publication : 04.05.2006 Date de dépôt international : 28.10.2005
CIB :
H01L 51/54 (2006.01), H01L 33/00 (2006.01), H01L 29/36 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01), H01L 21/34 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01)
Déposants : LU, Zheng-Hong [CA/CA]; (CA).
YUAN, Yanyan [CN/CA]; (CA)
Inventeurs : LU, Zheng-Hong; (CA).
YUAN, Yanyan; (CA)
Mandataire : HILL & SCHUMACHER; 87 Falcon Street, Toronto, Ontario M4S2P4 (CA)
Données relatives à la priorité :
60/622,619 28.10.2004 US
Titre (EN) ALKALINE FLUORIDE DOPE MOLECULAR FILMS AND APPLICATIONS FOR P-N JUNCTION AND FIELD-EFFECT TRANSISTOR DEVICES
(FR) FILMS MOLECULAIRES DOPES AVEC DU FULLERENE ET DU FLUORURE ALCALIN ET APPLICATIONS POUR DISPOSITIFS ELECTROLUMINESCENTS P-I-N
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a molecular film by alkaline fluoride n-doping into an electron transport host The present invention also provides a molecular film where the transport molecule can either be tris(8-hydroxyquinolinato) (Alq3) or fullerene The present invention further provides a p-n junction and a field-effect transistor of the same materials.
(FR)L'invention concerne un film moléculaire obtenu par dopage de type P avec du fullerène dans un hôte moléculaire de transport de trous. De plus, l'invention concerne un film moléculaire obtenu par dopage de type N avec du fluorure alcalin dans un hôte de transport d'électrons. L'invention concerne également un dispositif électroluminescent P-I-N qui comprend un substrat et une première couche conductrice formant une couche d'anode sur le substrat. Dans le dispositif, le film moléculaire dopé P est déposé comme couche d'injection de trous sur l'anode, le film de transport d'électrons dopé N est déposé comme couche d'injection d'électrons, et une seconde couche conductrice forme une couche de cathode sur la couche d'injection d'électrons. Par ailleurs, le dispositif comprend une couche de matériau électroluminescent entre la couche dopée P et la couche dopée N.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)