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1. (WO2006044715) ELEMENTS MAGNETORESISTIFS ET PROCEDES DE FABRICATION ET D'UTILISATION CORRESPONDANTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/044715    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/037111
Date de publication : 27.04.2006 Date de dépôt international : 14.10.2005
CIB :
G09G 3/32 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY OF IOWA RESEARCH FOUNDATION [US/US]; Oakdale Research Campus, 100 Oakdale Campus, Iowa City, Iowa 52242 (US) (Tous Sauf US).
WOHLGENANNT, Markus [AT/US]; (US) (US Seulement).
FRANCIS, Thomas [US/US]; (US) (US Seulement).
MERMER, Omer [TR/US]; (US) (US Seulement).
VEERARAGHAVAN, Govindarajan [IN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : WOHLGENANNT, Markus; (US).
FRANCIS, Thomas; (US).
MERMER, Omer; (US).
VEERARAGHAVAN, Govindarajan; (US)
Mandataire : DECARLO, Kean, J.; Needle & Rosenberg, P.C., Suite 1000, 999 Peachtree Street, Atlanta, GA 30309-3915 (US)
Données relatives à la priorité :
10/966,675 15.10.2004 US
Titre (EN) MAGNETO RESISTIVE ELEMENTS AND METHODS FOR MANUFACTURE AND USE OF SAME
(FR) ELEMENTS MAGNETORESISTIFS ET PROCEDES DE FABRICATION ET D'UTILISATION CORRESPONDANTS
Abrégé : front page image
(EN)The instant disclosure provides and describes a magneto resistive element comprised of a first electrode (16); a second electrode (18); and a semi conductive/conductive organic layer (14) disposed between the first and second electrodes, wherein the magneto resistive element has a predetermined resistance (R). The magneto resistive elements provide a magneto resistive response when influenced by an applied magnetic field. The magneto resistive elements can be integrated into a variety of systems including, without limitation, magnetic field detection system and display devices.
(FR)La présente invention concerne un élément magnétorésistif comprenant une première électrode, une seconde électrode et une couche organique conductrice/semi-conductrice disposée entre la première et la seconde électrode, lequel élément magnétorésistif présente une résistance (R) prédéterminée. Les éléments magnétorésistifs donnent une réponse magnétorésistive lorsqu'ils sont influencés par l'application d'un champ magnétique. Les éléments magnétorésistifs peuvent être intégrés dans une multitude de systèmes, tels que des systèmes de détection de champ magnétique ou des dispositifs d'affichage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)