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1. (WO2006044688) MATERIAU A BANDE D'ENERGIE INTERDITE LARGE ET PROCEDE DE PRODUCTION ASSOCIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/044688    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/037060
Date de publication : 27.04.2006 Date de dépôt international : 17.10.2005
CIB :
H01L 21/203 (2006.01)
Déposants : NORTHROP GRUMMAN CORPORATION [US/US]; 1840 Century Park East, Los Angeles, California 90067-2199 (US) (Tous Sauf US).
SINGH, Narsingh, Bahadur [US/US]; (US) (US Seulement).
BERGHMANS, Andre [US/US]; (US) (US Seulement).
WAITE, Tracy, Ann [US/US]; (US) (US Seulement).
AUMER, Mike [US/US]; (US) (US Seulement).
ZHANG, Hong [US/US]; (US) (US Seulement).
THOMSON, Darren [US/US]; (US) (US Seulement).
KAHLER, David [US/US]; (US) (US Seulement).
KIRSCHENBAUM, Abigail [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SINGH, Narsingh, Bahadur; (US).
BERGHMANS, Andre; (US).
WAITE, Tracy, Ann; (US).
AUMER, Mike; (US).
ZHANG, Hong; (US).
THOMSON, Darren; (US).
KAHLER, David; (US).
KIRSCHENBAUM, Abigail; (US)
Mandataire : GATES, William, L.; 8110 Gatehouse Road, Suite 100 East, P.O. Box 747, Falls Church, Virginia 22042 (US)
Données relatives à la priorité :
10/965,840 18.10.2004 US
Titre (EN) WIDE BANDGAP MATERIAL AND METHOD OF MAKING IT
(FR) MATERIAU A BANDE D'ENERGIE INTERDITE LARGE ET PROCEDE DE PRODUCTION ASSOCIE
Abrégé : front page image
(EN)A wide bandgap semiconductor material comprised of Silicon carbide containing a predetermined portion of germanium.
(FR)L'invention concerne un matériau semi-conducteur à bande d'énergie interdite large constitué de carbure de silicium contenant une partie prédéterminée de germanium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)