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1. (WO2006044320) CIBLE DE MESURE DE RECOUVREMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/044320    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/036371
Date de publication : 27.04.2006 Date de dépôt international : 11.10.2005
CIB :
G01B 11/00 (2006.01), G01B 11/14 (2006.01), H01L 21/76 (2006.01), H01L 23/544 (2006.01)
Déposants : ACCENT OPTICAL TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; Suite 207, 131 NW Hawthorne, Bend, OR 97701 (US) (Tous Sauf US).
INDUSTRIAL RESEARCH TECHNOLOGY INSTITUTE; 195, Section 4 Chung Hsing Road, Taipei (TW) (Tous Sauf US).
SMITH, Nigel, Peter [GB/--]; (TW) (US Seulement).
KU, Yi-Sha; (TW) (US Seulement).
PANG, Hsui Lan; (TW) (US Seulement)
Inventeurs : SMITH, Nigel, Peter; (TW).
KU, Yi-Sha; (TW).
PANG, Hsui Lan; (TW)
Mandataire : OHRINER, Kenneth, H.; Perkins Coie LLP, P.O. Box 1208, Seattle, wA 98111-1208 (US)
Données relatives à la priorité :
60/651,475 18.10.2004 US
11/035,652 13.01.2005 US
Titre (EN) OVERLAY MEASUREMENT TARGET
(FR) CIBLE DE MESURE DE RECOUVREMENT
Abrégé : front page image
(EN)In an overlay metrology method used during semiconductor device fabrication, an overlay alignment mark facilitates alignment and/or measurement of alignment error of two layers on a semiconductor wafer structure, or different exposures on the same layer. A target is small enough to be positioned within the active area of a semiconductor device combined with appropriate measurement methods, which result in improved measurement accuracy.
(FR)Dans un procédé de métrologie de recouvrement utilisé dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs, un repère d'alignement de recouvrement facilite l'alignement et/ou la mesure d'erreur d'alignement de deux couches sur une structure de tranche de semi-conducteur, ou de différentes expositions sur la même couche. On utilise une cible, assez petite pour pouvoir être positionnée dans la zone active d'un dispositif semi-conducteur, en combinaison avec des procédés de mesure appropriés afin d'obtenir une précision de mesure accrue.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)