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1. (WO2006044244) MEMOIRE DE COMMUTATION A TRANSFERT DE MOMENT DE SPIN A ASSISTANCE THERMOMAGNETIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/044244    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/036136
Date de publication : 27.04.2006 Date de dépôt international : 12.10.2005
CIB :
G11C 11/14 (2006.01)
Déposants : NVE CORPORATAION [US/US]; 11409 Valley View Road, Eden Prairie, MN 55344 (US) (Tous Sauf US).
DEAK, James, G. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : DEAK, James, G.; (US)
Mandataire : NEILS, Theodore, F.; Kinney & Lange, PA, Kinney & Lange Building, 312 South Third Street, Minneapolis, MN 55415-1002 (US)
Données relatives à la priorité :
60/617,954 12.10.2004 US
Titre (EN) THERMOMAGNETICALLY ASSISTED SPIN-MOMENTUM-TRANSFER SWITCHING MEMORY
(FR) MEMOIRE DE COMMUTATION A TRANSFERT DE MOMENT DE SPIN A ASSISTANCE THERMOMAGNETIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A ferromagnetic thin-film based digital memory having a substrate [10] supporting bit structures that are electrically interconnected with information storage and retrieval circuitry and having first [14] and second [18] oppositely oriented relatively fixed magnetization layers and a ferromagnetic material film [16] in which a characteristic magnetic property is substantially maintained below an associated critical temperature above wich such magnetic property is not maintained. This ferromagnetic material film is separated from the first and second fixed magnetization films by corresponding layers [15,17] of a nonmagnetic materials one being electrically insulative and that one remaining being electrically conductive.
(FR)L'invention concerne une mémoire numérique fondée sur une couche ferromagnétique mince, qui comprend un substrat comportant des structures binaires lesquelles sont interconnectées électriquement avec une mémoire d'informations et un circuit d'extraction, ces structures binaires comprenant une première et une deuxième couche à aimantation relativement fixe qui sont orientées de manière opposée, et une couche de matière ferromagnétique dans laquelle une propriété magnétique caractéristique est maintenue sensiblement en deçà d'une température critique associée, température au-dessus de laquelle ladite propriété magnétique caractéristique n'est pas maintenue. La couche de matière ferromagnétique est séparée de la première et de la couche à aimantation fixe par des couches correspondantes de matière non magnétique, dont une est électro-isolante et l'autre est électroconductrice. Chaque structure binaire comprend une structure d'interconnexion qui assure un contact électrique au niveau d'une surface de contact, qui est sensiblement parallèle à la couche intermédiaire positionnée entre la première surface de contact et le substrat. La mémoire numérique selon l'invention comprend en outre une pluralité de structures de lignes de mots qui comportent respectivement un conducteur électrique lequel s'étend à partir d'une structure binaire correspondante sur un côté opposé. Un courant électrique guidé sélectivement dans chacune desdites structures binaires et leur structure d'interconnexion peut sensiblement chauffer la structure binaire, pour en augmenter la température, la température atteinte étant au-dessus de la température d'au moins une structure binaire adjacente, en raison d'une isolation thermique suffisante.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)