WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2006044198) SYSTEME DE TRANSFERT THERMIQUE POUR UNIFORMITE DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS AMELIOREE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/044198    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/035751
Date de publication : 27.04.2006 Date de dépôt international : 06.10.2005
CIB :
C23C 16/00 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538 (US) (Tous Sauf US).
FISCHER, Andreas [DE/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : FISCHER, Andreas; (US)
Mandataire : SKIFF, Peter, K.; Buchanan Ingersoll, PC, PO Box 1404, Alexandria, VA 22313-1404 (US)
Données relatives à la priorité :
10/962,568 13.10.2004 US
Titre (EN) HEAT TRANSFER SYSTEM FOR IMPROVED SEMICONDUCTOR PROCESSING UNIFORMITY
(FR) SYSTEME DE TRANSFERT THERMIQUE POUR UNIFORMITE DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS AMELIOREE
Abrégé : front page image
(EN)A plasma processing system and methods for processing a substrate using a heat transfer system are provided. The heat transfer system, which is capable of producing a high degree of processing uniformity across the surface of a substrate, comprises a uniformity pedestal supported on and in good thermal contact with a heat transfer member. The uniformity pedestal includes a pin array which provides a conformal substrate support surface (i.e., contact surface) that can conform to the profile of a backside surface of a substrate during processing. To uniformly cool a substrate, a large thermal gradient can be established between the uniformity pedestal and the heat transfer member during the processing of a substrate.
(FR)La présente invention concerne un système de traitement par plasma et des procédés de traitement de substrat au moyen d'un système de transfert thermique. Ce système de transfert thermique, qui est capable de produire un degré élevé d'uniformité de traitement à travers la surface du substrat, comprend un socle d'uniformité supporté sur un élément de transfert thermique et en bon contact thermique avec ce dernier. Ce socle d'uniformité comprend un réseau de broches qui fournit une surface de support de substrat (c'est-à-dire une surface de contact) qui peut se conformer au profil d'une surface arrière d'un substrat pendant le traitement. Pour refroidir uniformément un substrat, un grand gradient thermique peut être établi entre le socle d'uniformité et l'élément de transfert thermique pendant le traitement d'un substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)