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1. (WO2006044124) PROCÉDÉ ET STRUCTURE POUR STRUCTURES À PUITS PROFONDS POUR RÉGIONS ACTIVES À GRANDES LONGUEURS D’ONDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/044124    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/034643
Date de publication : 27.04.2006 Date de dépôt international : 28.09.2005
CIB :
H01S 5/00 (2006.01)
Déposants : AGILENT TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 395 Page Mill Road, Palo Alto, CA 94306 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : TAN, Michael, R., T.; (US).
TANDON, Ashish; (US).
BOUR, David, P.; (US)
Mandataire : KRAUSE-POLSTORFF; AGILENT TECHNOLOGIES, INC., Intellectual Property Administration, M/S DL-429, P.O. Box 7599, Loveland, CO 80537-0599 (US)
Données relatives à la priorité :
10/970,528 20.10.2004 US
Titre (EN) METHOD AND STRUCTURE FOR DEEP WELL STRUCTURES FOR LONG WAVELENGTH ACTIVE REGIONS
(FR) PROCÉDÉ ET STRUCTURE POUR STRUCTURES À PUITS PROFONDS POUR RÉGIONS ACTIVES À GRANDES LONGUEURS D’ONDE
Abrégé : front page image
(EN)Subwells are added to quantum wells of light emitting semiconductor structures to shift their emission wavelengths to longer wavelengths. Typical applications of the invention are to InGaAs,InGaAsSb, InP and GaN material systems, for example.
(FR)La présente invention concerne des sous-puits ajoutés aux puits quantiques de structures semi-conductrices émettrices de lumière pour décaler leurs longueurs d’onde d’émission vers des longueurs d’onde plus longues. Par exemple, des systèmes de matériaux à base d’InGaAs, d’InGaAsSb, d’InP et de GaN représentent des applications typiques de la présente invention.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)