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1. (WO2006044001) PROCEDE DE PULVERISATION CATHODIQUE DE MAGNETRON
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/044001    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/024110
Date de publication : 27.04.2006 Date de dépôt international : 07.07.2005
CIB :
C23C 14/34 (2006.01)
Déposants : SOUTHWEST RESEARCH INSTITUTE [US/US]; 6220 Culebra Road, San Antonio, TX 78238-5166 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : WEI, Ronghua; (US)
Mandataire : MORRIS, Paula, D.; The Morris Law Firm, P.C., 10260 Westheimer, Suite 360, Houston, TX 77042 (US)
Données relatives à la priorité :
10/962,772 12.10.2004 US
Titre (EN) METHOD FOR MAGNETRON SPUTTER DEPOSITION
(FR) PROCEDE DE PULVERISATION CATHODIQUE DE MAGNETRON
Abrégé : front page image
(EN)A method for depositing a coating on an interior surface of a hollowed workpiece. The method comprises providing the hollowed workpiece (206) in a vacuum chamber (210), the hollowed workpiece (206) comprising an interior surface substantially defining a bore having a longitudinal; positioning a magnetron (216) within the bore along substantially the length of the longitudinal axis and substantially radially equidistant from the interior surface, the magnetron comprising an external sputter target material; and, generating a circumferential magnetic field about the sputter target material for a time and under sputter deposition conditions producing an interior surface comprising a substantially uniform coating comprising the sputter target material.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de déposer un revêtement sur une surface interne d'une pièce à usiner creuse. Ledit procédé consiste à fournir ladite pièce à usiner creuse (206) dans une chambre sous vide (210), cette pièce à usiner creuse (206) comportant une surface interne qui forme pratiquement un trou à axe longitudinal. Puis, ledit procédé consiste à positionner un magnétron (216) au sein du trou sensiblement sur la longueur dudit axe et pratiquement équidistant radialement de la surface interne, ledit magnétron renfermant une matière cible de pulvérisation externe. Enfin, ce procédé consiste à engendrer un champ magnétique circonférentiel autour de la matière cible de pulvérisation pour une certaine période de temps et dans des conditions de dépôt par pulvérisation qui produisent une surface interne à revêtement sensiblement uniforme contenant la matière cible de pulvérisation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)