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1. (WO2006043796) ELEMENT ELECTROLUMINESCENT A SEMI-CONDUCTEURS DE GAN ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/043796    N° de la demande internationale :    PCT/KR2005/003527
Date de publication : 27.04.2006 Date de dépôt international : 21.10.2005
CIB :
H01L 33/10 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/38 (2010.01), H01L 33/40 (2010.01), H01L 33/44 (2010.01)
Déposants : SEOUL OPTO-DEVICE CO., LTD. [KR/KR]; 1 Block 36, 725-5, Wonsi-Dong, Danwon-Gu, Ansan 425-851 (KR) (Tous Sauf US).
POSTECH FOUNDATION [KR/KR]; Pohang Univ. of Science & Technology, Hyoja-Dong, Nam-Gu, Pohang 790-784 (KR) (Tous Sauf US).
LEE, Jong Lam [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : LEE, Jong Lam; (KR)
Mandataire : NAM, Seung-Hee; 12F, Seo-Jeon Bldg., 1330-9, Seocho-Dong, Seocho-Gu, Seoul 135-080 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2004-0084917 22.10.2004 KR
10-2004-0098467 29.11.2004 KR
10-2005-0055348 25.06.2005 KR
Titre (EN) GAN COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) ELEMENT ELECTROLUMINESCENT A SEMI-CONDUCTEURS DE GAN ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELUI-CI
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a gallium nitride (GaN) compound semiconductor light emitting element (LED) and a method of manufacturing the same. The present invention provides a vertical GaN LED capable of improving the characteristics of a horizontal LED by means of a metallic protective film layer and a metallic support layer. According to the present invention, a thick metallic protective film layer with a thickness of at least 10 microns is formed on the lateral and/or bottom sides of the vertical GaN LED to protect the element against external impact and to easily separate the chip. Further, a metallic substrate is used instead of a sapphire substrate to efficiently release the generated heat to the outside when the element is operated, so that the LED can be suitable for a high-power application and an element having improved optical output characteristics can also be manufactured. A metallic support layer is formed to protect the element from being distorted or damaged due to impact. Furthermore, a P-type electrode is partially formed on a P-GaN layer in a mesh form to thereby maximize the emission of photons generated in the active layer toward the N-GaN layer.
(FR)L'invention concerne un élément électroluminescent (LED) à semi-conducteurs de nitrure de gallium (GaN) ainsi qu'un procédé de fabrication de celui-ci. Cette invention permet d'obtenir un LED de GaN vertical capable d'améliorer les caractéristiques d'un LED horizontal au moyen d'une couche de film de protection métallique et d'une couche de support métallique. Selon cette invention, une couche de film de protection métallique épaisse d'une épaisseur d'au moins 10 microns est formée sur les côtés latéraux et/ou inférieurs du LED de GaN vertical pour protéger l'élément contre des chocs extérieurs et pour permettre la séparation aisée de la puce. En outre, un substrat métallique est utilisé à la place d'un substrat de saphir pour libérer efficacement la chaleur générée vers l'extérieur lorsque l'élément est utilisé, de façon que ce LED soit adapté à une application haute puissance et qu'un élément possédant des caractéristiques de sortie optiques améliorées puisse être fabriqué. Une couche de support métallique est formée pour protéger l'élément contre la distorsion et les dégâts dus à des chocs. De plus, une électrode de type P est partiellement formée sur une couche P-GaN sous forme de mailles afin de maximiser l'émission de photons générée dans la couche active en direction de la couche N-GaN.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)