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1. (WO2006043719) ELEMENT A DIODE LUMINEUSE, PLAQUETTE POUR DIODE LUMINEUSE ET PROCEDE DE FABRICATION D’ELEMENT A DIODE LUMINEUSE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/043719    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/019739
Date de publication : 27.04.2006 Date de dépôt international : 20.10.2005
CIB :
H01L 33/26 (2010.01), H01L 33/50 (2010.01), H01L 33/02 (2010.01)
Déposants : UBE INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 1978-96, Oaza Kogushi, Ube-shi, Yamaguchi 7558633 (JP) (Tous Sauf US).
MITANI, Atsuyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKATA, Shin-ichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUJII, Itsuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MITANI, Atsuyuki; (JP).
SAKATA, Shin-ichi; (JP).
FUJII, Itsuhiro; (JP)
Mandataire : AOKI, Atsushi; A. AOKI, ISHIDA & ASSOCIATES, Toranomon 37 Mori Bldg., 5-1, Toranomon 3-chome, Minato-ku, Tokyo1058423 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-307337 21.10.2004 JP
Titre (EN) LIGHT EMITTING DIODE ELEMENT, BOARD FOR LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT EMITTING DIODE ELEMENT
(FR) ELEMENT A DIODE LUMINEUSE, PLAQUETTE POUR DIODE LUMINEUSE ET PROCEDE DE FABRICATION D’ELEMENT A DIODE LUMINEUSE
(JA) 発光ダイオード素子、発光ダイオード用基板及び発光ダイオード素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A light emitting diode element is provided with a photoelectric conversion material board and a semiconductor layer formed on the photoelectric conversion material board. The photoelectric conversion material board is composed of a coagulated body formed by continuous and three-dimensional combination of at least two oxide phases selected from single metal oxides and composite metal oxides. At least one of the oxide phases in the coagulated body contains a metal element oxide which emits fluorescence, and the semiconductor layer is composed of a plurality of composite semiconductor layers and is provided with at least a light emitting layer which emits visible light. The board for light emitting diode for forming semiconductor is provided for forming an excellent semiconductor layer which exhibits excellent crystal structural matching with a semiconductor for forming the light emitting diode and has less defects, for emitting excellent efficient light from a light emitting layer formed in the semiconductor layer, emitting uniform fluorescence by light from the light emitting layer in the semiconductor layer and for efficiently taking out light. The light emitting diode element which uses such board and has no color unevenness is also provided.
(FR)L’invention concerne un élément à diode lumineuse doté d’une plaquette de matière de conversion photoélectrique et d’une couche de semiconducteur formée sur la plaquette de matière de conversion photoélectrique. La plaquette de matière de conversion photoélectrique est composée d’un corps coagulé formé d’une combinaison continue et tridimensionnelle d’au moins deux phases d’oxydes, sélectionnées parmi des oxydes métalliques simples et des oxydes métalliques mixtes. Au moins une des phases d’oxydes dans le corps coagulé contient un oxyde d’élément métallique qui émet une fluorescence, et la couche de semiconducteur est composée d’une pluralité de couches de semiconducteur mixtes et est dotée d’au moins une couche émettrice de lumière qui émet de la lumière visible. La plaquette pour la diode lumineuse permet de former une excellente couche de semiconducteur dont la structure cristalline est adaptée à celle d’un semiconducteur destiné à former la diode lumineuse et qui possède un nombre réduit de défauts, de façon à réaliser une émission très efficace de lumière à partir d’une couche émettrice de lumière formée dans la couche de semiconducteur, une émission uniforme de fluorescence par la lumière émanant de la couche émettrice de lumière dans la couche de semiconducteur, et une extraction efficace de la lumière. L’élément à diode lumineuse qui utilise cette plaquette ne présente aucun défaut d’uniformité des couleurs.
(JA)本発明の発光ダイオード素子は、光変換材料基板と、該光変換材料基板上に形成された半導体層とからなる発光ダイオード素子であり、前記光変換材料基板は、単一金属酸化物および複合金属酸化物から選ばれる少なくとも2つ以上の酸化物相が連続的にかつ三次元的に相互に絡み合って形成されている凝固体からなり、該凝固体中の酸化物相のうち少なくとも1つは蛍光を発する金属元素酸化物を含有しており、前記半導体層は、複数の化合物半導体層からなり少なくとも可視光を発する発光層を有することを特徴とする。発光ダイオード形成用半導体と結晶構造上の整合性が良く、欠陥の少ない良好な半導体層を成膜でき、半導体層内に形成された発光層から効率の良い発光を得ることができると共に、半導体層中の発光層からの光により均一な蛍光も発し、かつ光を効率的に取り出しすることのできる、半導体を形成するための発光ダイオード用基板と、該基板を用いた色むらのない発光ダイオード素子を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)