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1. (WO2006043611) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/043611    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/019253
Date de publication : 27.04.2006 Date de dépôt international : 13.10.2005
CIB :
H01L 27/28 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 27/10 (2006.01), G11C 13/00 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP) (Tous Sauf US).
ABE, Hiroko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IWAKI, Yuji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YUKAWA, Mikio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAZAKI, Shunpei [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ARAI, Yasuyuki; (US Seulement).
WATANABE, Yasuko; (US Seulement).
MORIYA, Yoshitaka; (US Seulement)
Inventeurs : ABE, Hiroko; (JP).
IWAKI, Yuji; (JP).
YUKAWA, Mikio; (JP).
YAMAZAKI, Shunpei; (JP).
ARAI, Yasuyuki; .
WATANABE, Yasuko; .
MORIYA, Yoshitaka;
Données relatives à la priorité :
2004-308838 22.10.2004 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)It is an object of the present invention to provide a semiconductor device in which data can be written except when manufacturing the semiconductor device and that counterfeits can be prevented. Moreover, it is another object of the invention to provide an inexpensive semiconductor device including a memory having a simple structure. The semiconductor device includes a field effect transistor formed over a single crystal semiconductor substrate, a first conductive layer formed over the field effect transistor, an organic compound layer formed over the first conductive layer, and a second conductive layer formed over the organic compound layer, and a memory element includes the first conductive layer, the organic compound, and the second conductive layer. According to the above structure, a semiconductor device which can conduct non-contact transmission/reception of data can be provided by possessing an antenna.
(FR)La présente invention porte sur un dispositif semi-conducteur dans lequel des données peuvent être écrites sauf lors de la fabrication du dispositif semi-conducteur et permettant d’éviter les contrefaçons. De plus, l’invention concerne un dispositif semi-conducteur peu coûteux possédant une mémoire de structure simple. Le dispositif semi-conducteur comporte un transistor à effet de champ formé au-dessus d’un substrat semi-conducteur à simple cristal, une première couche conductrice formée au-dessus du transistor à effet de champ, une couche de composé organique formée au-dessus de la première couche conductrice, et une seconde couche conductrice formée au-dessus de la couche de composé organique, et un élément de mémoire comprend la première couche conductrice, le composé organique et la seconde couche conductrice. Selon la structure ci-dessus, on peut obtenir un dispositif semi-conducteur susceptible de réaliser la transmission et la réception de données sans contact grâce à une antenne.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)