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1. (WO2006043514) STRUCTURE D’ELEMENT DE PELTIER OU D’ELEMENT DE SEEBECK ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/043514    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/019053
Date de publication : 27.04.2006 Date de dépôt international : 17.10.2005
CIB :
H01L 35/32 (2006.01), H01L 35/16 (2006.01), H01L 35/34 (2006.01)
Déposants : MEIDENSHA CORPORATION [JP/JP]; 1-17, Osaki 2-chome, Shinagawa-ku, Tokyo, 1410032 (JP) (Tous Sauf US).
KONDOH, Yoshiomi [JP/JP]; (JP).
IWASAWA, Naotaka [JP/JP]; (JP)
Inventeurs : KONDOH, Yoshiomi; (JP).
IWASAWA, Naotaka; (JP)
Mandataire : HASHIMOTO, Takeshi; c/o Shiga Patent Office Ekisaikai Bldg. 1-29, Akashi-cho Chuo-ku, Tokyo 104-0044 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-303321 18.10.2004 JP
Titre (EN) STRUCTURE OF PELTIER ELEMENT OR SEEBECK ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) STRUCTURE D’ELEMENT DE PELTIER OU D’ELEMENT DE SEEBECK ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) ペルチェ素子又はゼーベック素子の構造及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A Peltier or Seebeck element has first and second conductive members having different Seebeck coefficients. To decrease the heat conduction from one to the other end of each of the conductive members, the cross-section area at the intermediate part in the length direction is smaller than those at both end parts, and consequently, the heat conductivity of the intermediate part is lower than those at both ends parts. In place of the decrease of the cross-section, the shape of the cross-section of the intermediate part of each of the conductive members may be changed by dividing the intermediate part into pieces, or amorphous silicon or the like having a heat conductivity lower than those of the materials of both end parts may be used for the material of the intermediate part. In such a way, a high-performance Peltier/Seebeck element such that the difference between the temperature of the heated portion of the Peltier/Seebeck element and the opposite portion can be kept to a predetermined temperature difference for a long time and its manufacturing method are provided.
(FR)L'invention porte sur un élément de Peltier ou de Seebeck possèdant un premier élément conducteur et un second élément conducteur au coefficient de Seebeck différent. Pour réduire la conduction de chaleur d’une extrémité à l’autre de chacun des éléments conducteurs, la zone transversale au niveau de la partie intermédiaire dans le sens de la longueur est plus petite que celles aux deux extrémités, et en conséquence, la conductivité thermique de la partie intermédiaire est plus faible qu’aux deux extrémités. Au lieu de réduire la section transversale, la forme de la section transversale de la partie intermédiaire de chacun des éléments conducteurs peut être changée en divisant la partie intermédiaire en plusieurs pièces, ou bien on peut utiliser du silicium amorphe ou équivalent, dont la conductivité thermique est plus faible que celle des matériaux aux deux extrémités, pour constituer le matériau de la partie intermédiaire. De cette manière, on peut obtenir un élément de Peltier/Seebeck hautes performances permettant de maintenir la différence entre la température de la portion chauffée de l’élément de Peltier/Seebeck et celle de la portion opposée à une valeur prédéterminée sur une longue période, de même que son procédé de fabrication.
(JA) ペルチェ素子又はゼーベック素子は異なるゼーベック係数を有する第1導電部材と第2導電部材の一端から他端への熱伝導をより少なくするため、夫々の長さ方向の中間部分の断面積をその両端部分の断面積より小さくすることにより中間部分の熱伝導度を両端部分の熱伝導度より小さく設定する。また、断面積を小さく設定する代わりに、前記導電部材の中間部分を複数に分割して断面の形状を変えるか、中間部分の材質を両端部分の材質より熱伝導度の小さいアモルファスシリコン等を用いて形成する。これにより、ペルチェ・ゼーベック素子の加熱側とその反対側の温度差が長時間所定の温度差を維持できるような高機能型ペルチェ/ゼーベック素子とその製造方法を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)