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N° de publication :    WO/2006/043512    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/019046
Date de publication : 27.04.2006 Date de dépôt international : 17.10.2005
H05B 6/66 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
MORIYA, Hideaki; (US Seulement).
SUENAGA, Haruo; (US Seulement).
SAKAI, Shinichi; (US Seulement).
SHIROKAWA, Nobuo; (US Seulement).
KINOSHITA, Manabu; (US Seulement)
Inventeurs : MORIYA, Hideaki; .
SUENAGA, Haruo; .
SAKAI, Shinichi; .
Mandataire : TAKAMATSU, Takeshi; Eikoh Patent Office 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku Tokyo 1050003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-302598 18.10.2004 JP
(JA) 高周波加熱電源装置
Abrégé : front page image
(EN)There is provided a high-frequency heating power supply device for driving a magnetron such as a microwave oven. It is possible to provide a frequency modulation method for suppressing high-frequency current generated by high-frequency switching operation. When supplying a DRIVE signal for driving a first semiconductor switching element (3) and a second semiconductor switching element (4), the inverter operation frequency for each commercial power supply phase is supplied with a frequency difference (inclination) of phase 0 to 90 degrees by a triangular wave generation circuit in an oscillation circuit (16). The modulation waveform for frequency modulation control is formed by setting the upper limit clamp, the lower limit clamp, and the lowest value equivalent to the lowest frequency by the frequency modulation generation circuit (15) according to the commercial power supply division waveform after rectification. By optimally combining these, generation of higher harmonic current is suppressed while forming a frequency modulation waveform capable of absorbing various irregularities such as an inverter main circuit parts constant and a power source (Vcc) of drive control IC unit (14).
(FR)L’invention concerne un dispositif d’alimentation de chauffage haute fréquence pour exciter un magnétron comme un four à micro-ondes. Il est possible de proposer un procédé de modulation de fréquence pour supprimer le courant haute fréquence généré par une commutation haute fréquence. Lorsque l’on injecte un signal DRIVE pour exciter un premier élément de commutation à semi-conducteur (3) et un second élément de commutation à semi-conducteur (4), la fréquence d’exploitation de l’inverseur pour chaque phase d’alimentation commerciale est alimentée avec une différence de fréquence (inclinaison) de phase de 0 à 90 degrés par un circuit de génération d’onde triangulaire dans un circuit d’oscillation (16). La forme d’onde de modulation pour commander la modulation de fréquence est formée en définissant la limite supérieure, la limite inférieure, et la valeur la plus basse équivalente à la fréquence la plus basse par le circuit de génération de modulation de fréquence (15) selon la forme d’onde de division d’alimentation commerciale après rectification. Une combinaison optimale de ces éléments permet de supprimer la génération de courant d’harmonique supérieure tout en constituant une forme d’onde de modulation de fréquence capable d’absorber diverses irrégularités comme une constante de pièces de circuit principal d’inverseur et une source d’alimentation (Vcc) d’unité à circuit intégré de commande d’excitation (14).
(JA) 本発明の課題は、電子レンジのようなマグネトロンを駆動する高周波加熱電源装置に関するものであり、高周波スイッチング動作を行うがゆえに発生する高調波電流を抑制するための周波数変調方式を提供することである。  第一の半導体スイッチング素子(3)および第二の半導体スイッチング素子(4)を駆動するためのDRIVE信号を与える際、商用電源位相ごとのインバータ動作周波数は発振回路(16)内部の三角波作成回路により位相0°~90°までの周波数差(傾き)で与え、周波数変調制御用の変調波形は整流後の商用電源電圧分圧波形を基にして周波数変調作成回路(15)にて上限クランプ、下限クランプ、最低周波数に相当する下限値の設定を駆使して形成される。これらを最適に組み合わせることによりインバータ主要回路部品の定数や駆動用制御IC部(14)の電源(Vcc)等種々のバラツキを吸収し得る周波数変調波形を形成しながら高調波電流の発生を抑制した。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)