WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2006043471) PROCEDE DE FABRICATION DE TRANCHES SEMICONDUCTRICES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/043471    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/018929
Date de publication : 27.04.2006 Date de dépôt international : 14.10.2005
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP) (Tous Sauf US).
YOKOKAWA, Isao [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NOTO, Nobuhiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YOKOKAWA, Isao; (JP).
NOTO, Nobuhiko; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; Uenosansei Bldg. 4F 6-4, Motoasakusa 2-chome Taito-ku, Tokyo 111-0041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-305637 20.10.2004 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR WAFER MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE TRANCHES SEMICONDUCTRICES
(JA) 半導体ウェーハの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)At least an SiGe layer is epitaxially grown on a surface of a silicon single crystal wafer, which is to be a bond wafer, at least hydrogen ions or rare gas ions are implanted through the SiGe layer, and an ion implanted layer is formed in the bond wafer. The surface of the SiGe layer and the surface of a base wafer are brought into a close contact and bonded through an insulating film, then, peeling is performed by the ion implanted layer, and an Si layer of the peeled layer transferred onto the base wafer side by the peeling is removed to expose the SiGe layer. Then, heat treatment for condensing Ge under oxidizing atmosphere and/or heat treatment for modifying lattice distortion under non-oxidizing atmosphere is performed to the exposed SiGe layer. Thus, a method for manufacturing the semiconductor wafer provided with the SiGe layer to which lattice modification is sufficiently performed and that having suppressed surface roughness and excellent crystallinity is provided.
(FR)Selon le procédé de l’invention, au moins une couche de SiGe est obtenue par croissance épitaxiale sur la surface d’une tranche monocristalline de silicium, cette dernière devant servir de tranche de liaison ; des ions hydrogène au moins ou des ions de gaz rare sont implantés à travers la couche de SiGe, et une couche d’implantation ionique est formée dans la tranche de liaison. La surface de la couche de SiGe et celle d’une tranche support sont mises en contact étroit et liées au moyen d’un film isolant. Une exfoliation est ensuite réalisée par la couche d’implantation ionique, et une couche de Si de la couche exfoliée transférée sur le côté de la tranche support par l’exfoliation est éliminée de manière à mettre à nu la couche de SiGe. La couche de SiGe mise à nu est ensuite soumise à un traitement thermique sous atmosphère oxydante visant à condenser le Ge, et/ou à un traitement thermique sous atmosphère non oxydante visant à modifier la déformation du réseau. Il est ainsi prévu un procédé de fabrication de la tranche semiconductrice pourvue de la couche de SiGe dont on a modifié de manière suffisante le réseau, supprimé la rugosité de surface et qui montre une excellente cristallinité.
(JA) 本発明は半導体ウェーハの製造方法であって、少なくとも、ボンドウェーハとなるシリコン単結晶ウェーハの表面にSiGe層をエピタキシャル成長させ、該SiGe層を通して水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一種類を注入することにより前記ボンドウェーハ内部にイオン注入層を形成し、前記SiGe層の表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して密着させて貼り合わせ、その後前記イオン注入層で剥離を行い、前記剥離によりベースウェーハ側に移設した剥離層のSi層を除去することによりSiGe層を露出させ、その後該露出したSiGe層に対して、酸化性雰囲気下でGeを濃縮する熱処理及び/又は非酸化性雰囲気下で格子歪みを緩和させる熱処理を行なうことを特徴とする半導体ウェーハの製造方法である。これにより格子緩和が十分に行なわれ、表面の面粗れが抑制され、かつ結晶性のよいSiGe層を有する半導体ウェーハの製造方法が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)