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1. (WO2006043439) LIQUIDE DE REVÊTEMENT POUR L’ÉLABORATION DE FILM DE PROTECTION POUR TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ D’ÉLABORATION DE CELUI-CI, ET FILM DE PROTECTION POUR TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEUR OBTENU À PARTIR DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/043439    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/018668
Date de publication : 27.04.2006 Date de dépôt international : 11.10.2005
CIB :
H01L 21/312 (2006.01), C09D 183/04 (2006.01), C09D 183/02 (2006.01), C08G 77/04 (2006.01)
Déposants : CATALYSTS & CHEMICALS INDUSTRIES CO., LTD. [JP/JP]; 580, Horikawa-cho, Saiwai-ku Kawasaki-shi, Kanagawa 2120013 (JP) (Tous Sauf US).
EGAMI, Miki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ARAO, Hiroki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKASHIMA, Akira [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOMATSU, Michio [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : EGAMI, Miki; (JP).
ARAO, Hiroki; (JP).
NAKASHIMA, Akira; (JP).
KOMATSU, Michio; (JP)
Mandataire : ISHIDA, Masahisa; 28-10, Sannoh 1-chome Ohta-ku, Tokyo 1430023 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-305662 20.10.2004 JP
Titre (EN) COATING LIQUID FOR FORMATION OF PROTECTIVE FILM FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING, METHOD FOR PREPARATION THEREOF, AND PROTECTIVE FILM FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING PROVIDED THEREFROM
(FR) LIQUIDE DE REVÊTEMENT POUR L’ÉLABORATION DE FILM DE PROTECTION POUR TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ D’ÉLABORATION DE CELUI-CI, ET FILM DE PROTECTION POUR TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEUR OBTENU À PARTIR DE CELUI-CI
(JA) 半導体加工用保護膜形成用塗布液、その調製方法およびこれより得られる半導体加工用保護膜
Abrégé : front page image
(EN)This invention provides a coating liquid for the formation of a protective film for semiconductor processing, such as a CMP sacrificial film having high film strength and low specific permittivity and an etching stopper film, a method for the preparation thereof, and a protective film for semiconductor processing formed from the coating liquid. The coating liquid for the formation of a protective film for semiconductor processing is characterized by comprising (a) either a silicon compound prepared by hydrolyzing a tetraalkylorthosilicate (TAOS) and an alkoxysilane (AS) in the presence of tetramethylammonium hydroxide (TMAOH) and water, or a silicon compound prepared by hydrolyzing or partially hydrolyzing a tetraalkylorthosilicate (TAOS) in the presence of tetramethylammonium hydroxide (TMAOH) and water, mixing the hydrolyzate or partial hydrolyzate with an alkoxysilane (AS) or a hydrolyzate or partial hydrolyzate thereof and if necessary further hydrolyzing a part or the whole of the mixture, (b) an organic solvent, and (c) water, the content of water contained in the liquid composition being in the range of 35 to 65% by weight.
(FR)La présente invention porte sur un liquide de revêtement pour l’élaboration de film de protection pour traitement de semi-conducteur, comme un film sacrificiel CMP de forte résistance de film et de faible permittivité spécifique et un film de blocage d’attaque chimique, un procédé d’élaboration de celui-ci, et un film de protection pour traitement de semi-conducteur élaboré à partir du liquide de revêtement. Le liquide de revêtement pour l’élaboration d’un film de protection pour traitement de semi-conducteur est caractérisé en ce qu’il comprend (a) un composé de silicium élaboré par hydrolyse d’un tétraalkylorthosilicate (TAOS) et d’un alcoxysilane (AS) en présence d’hydroxyde de tétraméthylammonium (TMAOH) et d’eau, ou bien un composé de silicium élaboré par hydrolyse totale ou partielle d’un tétraalkylorthosilicate (TAOS) en présence d’hydroxyde de tétraméthylammonium (TMAOH) et d’eau, avant de mélanger le produit d’hydrolyse totale ou partielle avec un alcoxysilane (AS) ou un produit d’hydrolyse totale ou partielle de celui-ci et si nécessaire, poursuite de l’hydrolyse de tout ou partie du mélange, (b) un solvant organique, et (c) de l’eau, la teneur en eau de la composition liquide entrant dans la fourchette allant de 35 à 65% en poids.
(JA) 高い膜強度と低い比誘電率を有するCMP犠牲膜やエッチング・ストッパー膜等の半導体加工用保護膜を形成するための塗布液、その調整方法および該塗布液より得られる半導体加工用保護膜に関する。(a)テトラアルキルオルソシリケート(TAOS)およびアルコキシシラン(AS)をテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAOH)および水の存在下で加水分解して得られるケイ素化合物、またはテトラアルキルオルソシリケート(TAOS)をテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAOH)および水の存在下で加水分解または部分加水分解した後、アルコキシシラン(AS)またはその加水分解物もしくは部分加水分解物と混合し、さらに必要に応じてこれらの一部または全部を加水分解して得られるケイ素化合物、(b)有機溶媒、および(c)水を含む液状組成物であり、しかも該液状組成物中に含まれる水の量が35~65重量%の範囲にあることを特徴とする半導体加工用保護膜形成用塗布液。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)