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1. (WO2006043422) ELEMENT SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/043422    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/018510
Date de publication : 27.04.2006 Date de dépôt international : 06.10.2005
CIB :
H01L 33/44 (2010.01), H01L 33/08 (2010.01), H01L 33/38 (2010.01)
Déposants : NICHIA CORPORATION [JP/JP]; 491-100, Oka, Kaminaka-cho, Anan-shi Tokushima 7748601 (JP) (Tous Sauf US).
SONOBE, Shinya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TOMONARI, Masakatsu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
INOUE, Yoshiki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SONOBE, Shinya; (JP).
TOMONARI, Masakatsu; (JP).
INOUE, Yoshiki; (JP)
Mandataire : ONO, Yukio; SHINJYU GLOBAL IP South Forest Bldg. 1-4-19, Minamimori-machi Kita-ku, Osaka-shi Osaka 5300054 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-304763 19.10.2004 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) ELEMENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体素子
Abrégé : front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a highly reliable and high quality semiconductor element by effectively preventing migration of silver to a nitride semiconductor, in the case where a silver electrode or an electrode mainly composed of silver having high reflection efficiency is formed on a nitride semiconductor layer by being brought into contact with the layer. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] The semiconductor element includes the nitride semiconductor layer, the electrode connected to the nitride semiconductor layer, and an insulating film covering at least a part of the electrode. The electrode is composed of a first metal film, which is brought into contact with the nitride semiconductor layer and includes silver or a silver alloy, and a second metal film completely covering the first metal film or a second metal film formed to prevent silver from moving on the surface of the nitride semiconductor layer. The insulating film is composed of a nitride film.
(FR)Le problème à résoudre dans le cadre de cette invention est de prévoir un élément semi-conducteur de grande qualité et de grande fiabilité en prévenant de manière efficace la migration d’argent sur un semi-conducteur nitrure, dans le cas où une électrode d’argent ou composée principalement d’argent ayant une efficacité élevée de réflexion est formée sur une couche de semi-conducteur nitrure par contact avec la couche. La solution consiste à prévoir un élément semi-conducteur incluant la couche de semi-conducteur nitrure, l’électrode connectée à la couche de semi-conducteur nitrure et un film isolant couvrant au moins une partie de l’électrode. L’électrode est composée d’un premier film métallique, lequel est amené en contact avec la couche de semi-conducteur nitrure et comprend de l’argent ou un alliage d’argent, et d’un second film métallique couvrant complètement le premier film métallique ou d’un second film métallique formé pour empêcher l’argent de se déplacer vers la surface de la couche de semi-conducteur nitrure. Le film isolant est composé d’un film de nitrure.
(JA)【課題】窒化物半導体層上に高反射効率を有する銀又は銀を主体とする電極が接触して形成されている場合において、銀の窒化物半導体へのマイグレーションを有効に防止することにより、信頼性の高い、高品質の半導体素子を得ることを目的とする。 【解決手段】 窒化物半導体層と、該窒化物半導体層に接続された電極と、該電極の少なくとも一部を被覆する絶縁膜とを含んで構成される半導体素子であって、  前記電極は、前記窒化物半導体層に接触する銀又は銀合金を含む第1金属膜と、該第1金属膜を完全に被覆する第2金属膜又は銀が前記窒化物半導体層の表面を移動することを防止するように形成された第2金属膜とから構成され、かつ、前記絶縁膜は、窒化物膜からなる半導体素子。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)