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1. (WO2006043346) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/043346    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/003761
Date de publication : 27.04.2006 Date de dépôt international : 04.03.2005
CIB :
H01L 29/47 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
Déposants : KANSAI TECHNOLOGY LICENSING ORGANIZATION CO., LTD. [JP/JP]; 134, Chudoji minami-machi Shimogyo-ku, Kyoto-shi Kyoto 6008813 (JP) (Tous Sauf US).
FUYUKI, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
URAOKA, Yukiharu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HATAYAMA, Tomoaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YANO, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAMOTO, Yukie [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : FUYUKI, Takashi; (JP).
URAOKA, Yukiharu; (JP).
HATAYAMA, Tomoaki; (JP).
YANO, Hiroshi; (JP).
YAMAMOTO, Yukie; (JP)
Mandataire : KOBAYASI, Ryohei; Kobayasi Patent & Trademark 7th Floor, Hougen-Sizyokarasuma Building 37, Motoakuozi-tyo Higasinotouin Sizyo-sagaru, Simogyo-ku Kyoto-si, Kyoto 6008091 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-305334 20.10.2004 JP
Titre (EN) METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for fabricating a semiconductor device employing SiC in which variation in barrier height and current-voltage characteristics can be suppressed among elements while enhancing the current-voltage characteristics, and the value of barrier height can be controlled. Specifically, a metal is deposited on an SiC plate (11) by sputtering while heating the SiC plate (11) at a predetermined temperature of 400°C or below to form a metal layer (14). When compared with conventional Schottky diodes, the Scottky diode fabricated by this method exhibits more ideal bonding state of the semiconductor layer (11) and the metal layer (14), and thus variation in barrier height and current-voltage characteristics is suppressed among elements and the current-voltage characteristics are enhanced. Furthermore, the value of barrier height can be controlled by the heating temperature.
(FR)L’invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif semi-conducteur employant du SiC dans lequel on peut supprimer les variations de hauteur de barrière et de caractéristiques de courant/tension parmi les éléments tout en améliorant les caractéristiques de courant/tension, et en contrôlant la valeur de hauteur de barrière. Spécifiquement, un métal est déposé sur une plaque de SiC (11) par pulvérisation cathodique tout en chauffant la plaque SiC (11) à une température prédéterminée inférieure ou égale à 400°C pour constituer une couche de métal (14). Comparée aux diodes Schottky conventionnelles, la diode Schottky fabriquée selon ce procédé présente une meilleure aptitude au collage de la couche semi-conductrice (11) et de la couche de métal (14), ce qui permet de supprimer les variations de hauteur de barrière et de caractéristiques de courant/tension parmi les éléments et d’améliorer les caractéristiques de courant/tension. De plus, la valeur de hauteur de barrière peut être contrôlée par la température de chauffage.
(JA) 本発明は、バリアハイトや電流−電圧特性について素子毎のばらつきを小さくすると共に、電流−電圧特性を向上させることができ、更にバリアハイトの値を制御することができる、SiCを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。この目的を達成するために、SiC基板11を400°C以下の所定温度に加熱しつつ、スパッタ法等の方法により該SiC基板11上に金属を堆積することにより金属層14を形成する。この方法により製造されるショットキーダイオードは、従来のSiCを用いたショットキーダイオードよりも半導体層11と金属層14の接合がより理想的な状態に近くなり、それによりバリアハイトや電流−電圧特性について素子毎のばらつきが小さくなると共に、電流−電圧特性が向上する。また、加熱温度によりバリアハイトの値を制御できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)