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1. (WO2006043329) COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/043329    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/015732
Date de publication : 27.04.2006 Date de dépôt international : 22.10.2004
CIB :
H01L 21/3205 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), B82B 3/00 (2006.01)
Déposants : FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (Tous Sauf US).
OKITA, Yoichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OKITA, Yoichi; (JP)
Mandataire : KOKUBUN, Takayoshi; 5th Floor, Ikebukuro TG Homest Building, 17-8, Higashi-Ikebukuro 1-chome, Toshima-ku, Tokyo 1700013 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A plurality of origin patterns (3) containing metal catalyst are formed on the upper part of a semiconductor substrate (1). An insulating film (4) is formed to cover the origin patterns (3). A groove from which the side surfaces of the origin patterns (3) are exposed at both edges is formed on the insulating film (4). Then, carbon nano tube (5) provided with conductive chirality is grown in the groove and wiring is formed. Then, an interlayer insulating film is formed so as to cover the carbon nano tube.
(FR)L'invention se rapporte à une pluralité de motifs d'origine (3) contenant un catalyseur métallique qui sont formés sur la partie supérieure d'un substrat semi-conducteur. Un film isolant (4) est formé afin de recouvrir les motifs d'origine (3). Une rainure, à partir de laquelle les surfaces latérales des motifs d'origine (3) sont exposées sur les deux bords, est formée sur le film isolant (4). Ensuite, un nanotube de carbone (5), présentant une chiralité conductrice, est mis à croître dans la rainure et un câblage est formé. Un film isolant entre couches est ensuite formé de façon à couvrir le nanotube de carbone.
(JA) 半導体基板(1)の上方に触媒金属を含有する複数の起点パターン(3)を形成する。次に、起点パターン(3)を覆う絶縁膜(4)を形成する。次いで、絶縁膜(4)に、両端から起点パターン(3)の側面が露出する溝を形成する。その後、溝内に導電性のカイラリティを具えたカーボンナノチューブ(5)を成長させることにより、配線を形成する。その後、カーボンナノチューブ(5)を覆う層間絶縁膜を形成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)