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1. (WO2006043243) DISPOSITIF METAL-OXYDE-SEMICONDUCTEUR POURVU D'UN CORPS DE TITANATE DOPE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/043243    N° de la demande internationale :    PCT/IB2005/053425
Date de publication : 27.04.2006 Date de dépôt international : 19.10.2005
CIB :
H01L 21/34 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
FURUKAWA, Yukiko [JP/BE]; (GB) (US Seulement).
VENEZIA, Vincent, C. [US/BE]; (GB) (US Seulement).
SURDEANU, Radu [NL/BE]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : FURUKAWA, Yukiko; (GB).
VENEZIA, Vincent, C.; (GB).
SURDEANU, Radu; (GB)
Mandataire : WHITE, Andrew; NXP Semiconductors, Intellectual Property Department, Cross Oak Lane, Redhill, Surrey RH1 5HA (GB)
Données relatives à la priorité :
0423343.3 21.10.2004 GB
Titre (EN) METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A DOPED TITANATE BODY
(FR) DISPOSITIF METAL-OXYDE-SEMICONDUCTEUR POURVU D'UN CORPS DE TITANATE DOPE
Abrégé : front page image
(EN)A metal-oxide-semiconductor (MOS) device having a body of single-crystal strontium titanate or barium titanate (10) is provided in which the body comprises a doped semiconductor region (24) adjacent a dielectric region (26). The body may further comprise a doped conductive region separated from the semiconductor region by the dielectric region. The material characteristics of single-crystal strontium titanate when doped in various ways are exploited to provide the insulating, conducting and semiconducting components of a MOS stack. Advantageously, the use of a single body avoids the presence of interface layers between the stack components which improves the characteristics of MOS devices such as field effect transistors.
(FR)L'invention concerne un dispositif métal-oxyde-semiconducteur (MOS) présentant un corps de titanate de baryum ou de titanate de strontium monocristallin (10), ce corps comprenant une région semi-conductrice dopée (24) adjacente à une région diélectrique (26). Ce corps peut comprendre en outre une région conductrice dopée séparée de la région semi-conductrice par la région diélectrique. Les caractéristiques physiques du titanate de strontium monocristallin dopé de diverses manières sont exploitées pour fournir les composants isolants, conducteurs et semi-conducteurs d'un empilement MOS. De façon avantageuse, l'utilisation d'un corps unique élimine la présence de couches d'interface entre les composants de l'empilement, ce qui améliore les caractéristiques des dispositifs MOS, tels que des transistors à effet de champ.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)