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1. (WO2006043235) SUBSTRAT COMPRENANT DES CONTACTS ELECTRIQUES ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/043235    N° de la demande internationale :    PCT/IB2005/053408
Date de publication : 27.04.2006 Date de dépôt international : 18.10.2005
CIB :
H01L 23/485 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
VAN VEEN, Nicolaas [NL/NL]; (AT) (US Seulement)
Inventeurs : VAN VEEN, Nicolaas; (AT)
Mandataire : RÖGGLA, Harald; NXP Semiconductors, Intellectual Property Department, Gutheil-Schoder-Gasse 8-12, A-1101 Vienna (AT)
Données relatives à la priorité :
04105175.6 20.10.2004 EP
Titre (EN) SUBSTRATE WITH ELECTRIC CONTACTS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) SUBSTRAT COMPRENANT DES CONTACTS ELECTRIQUES ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELUI-CI
Abrégé : front page image
(EN)A substrate (10) with first metallic contact pads (13a..13d) is disclosed, which first contact pads (13a..13d) and second contact pads (23a..23d) on a second substrate (20) are to be soldered together. According to the invention, the greatest planar extension (Din) of said first contact pads (13a..13d) with respect to said first surface does not exceed 20 µm. Thus, a stand off Xin of zero or almost zero can be achieved when the first substrate (10) and the second substrate (20) are soldered together. This method for instance is applicable to the flip chip technology, wherein preferably 'underbump metallization', UBM for short, and 'Immersion solder bumping', ISB for short, are used for manufacturing said substrate (10).
(FR)L'invention concerne un substrat (10) comprenant des premiers plots de contacts métalliques (13a 13d), ceux-ci (13a 13d) et des seconds plots de contacts (23a..23d) sur un second substrat (20) étant soudés ensemble. Selon l'invention, l'extension plane la plus importante (Din) des premiers contacts (13a..13d) par rapport à la première surface ne dépasse pas 20 µm. Par conséquent, un pied de lavage Xin de zéro ou presque zéro peut être obtenu quand les premier (10) et second substrats (20) sont soudés ensemble. Le procédé peut être appliqué dans la technologie de la puce retournée dans laquelle, de préférence, une métallisation UBM (underbump metallization) et ISB (immersion solder bumping) sont utilisées pour la fabrication du substrat (10).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)