WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2006043168) PROCEDE DE PREPARATION D'UN FILM DE DIOXYDE DE ZIRCONIUM TOTALEMENT ANCRE A PRECURSEURS DOPES ORGANIQUES NON GELIFIES SUR DES IMPLANTS ENDO-OSSEUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/043168    N° de la demande internationale :    PCT/IB2005/003162
Date de publication : 27.04.2006 Date de dépôt international : 13.10.2005
CIB :
A61L 27/30 (2006.01), A61L 27/54 (2006.01), A61C 8/00 (2006.01), A61F 2/30 (2006.01)
Déposants : GUYA BIOSCIENCE S.R.L. [IT/IT]; Via Giuoco del Pallone 23, I-44100 Ferrara (IT) (Tous Sauf US).
CARINCI, Francesco [IT/IT]; (IT) (US Seulement).
BIGNOZZI, Carlo, Alberto [IT/IT]; (IT) (US Seulement).
MINERO, Claudio [IT/IT]; (IT) (US Seulement).
MAURINO, Valter [IT/IT]; (IT) (US Seulement).
CARAMORI, Stefano [IT/IT]; (IT) (US Seulement)
Inventeurs : CARINCI, Francesco; (IT).
BIGNOZZI, Carlo, Alberto; (IT).
MINERO, Claudio; (IT).
MAURINO, Valter; (IT).
CARAMORI, Stefano; (IT)
Mandataire : DALL'OLIO, Giancarlo; Invention S.r.l., Via delle Armi 1, I-40137 Bologna (IT)
Données relatives à la priorité :
BO2004A000654 22.10.2004 IT
Titre (EN) METHOD FOR PREPARING ENDOSSEOUS IMPLANTS WITH ZIRCON DIOXIDE COATING
(FR) PROCEDE DE PREPARATION D'UN FILM DE DIOXYDE DE ZIRCONIUM TOTALEMENT ANCRE A PRECURSEURS DOPES ORGANIQUES NON GELIFIES SUR DES IMPLANTS ENDO-OSSEUX
Abrégé : front page image
(EN)The method includes the following steps: formulation of liquid, non-gelled and stable precursors by solvolysis of ZV (IV) compounds; precursor deposition on endosseous implant surface; thermal treatment to achieve film densification, in the presence of oxygen, of a complex formed by the said endosseous implant and precursor, to obtain on the implant surface a thin nanocrystalline zirconium dioxide film.
(FR)Procédé comprenant les étapes de formulation de liquide, de précurseurs non gélifiés et stables par solvolyse de composés Ti(IV); de dépôt de précurseurs sur une surface d'implant endo-osseux; le traitement thermique assurant la densification du film en présence d'oxygène d'un complexe formé par l'implant endo-osseux et le précurseur afin d'obtenir, sur la surface d'implant, un film mince de dioxyde de zirconium nanocristallin.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)