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1. (WO2006042797) CONFIGURATION DE FAISCEAU DE REGENERATION A TRANSPARENCE (HBAT) INTEGREE POUR AMPLIFICATION OU EMISSION OPTIQUE A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/042797    N° de la demande internationale :    PCT/EP2005/055106
Date de publication : 27.04.2006 Date de dépôt international : 07.10.2005
CIB :
H01S 5/026 (2006.01), H01S 5/06 (2006.01), G02F 1/35 (2006.01), H01S 3/07 (2006.01)
Déposants : Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) [CH/CH]; CM - Ecublens, CH-1015 Lausanne (CH) (Tous Sauf US).
DUPERTUIS, Marc-André [CH/CH]; (CH) (US Seulement).
CROTTINI, Andrea [IT/CH]; (CH) (US Seulement).
SALLERAS VILA, Ferran [ES/CH]; (CH) (US Seulement).
DEVEAUD-PLEDRAN, Benoit [FR/CH]; (CH) (US Seulement)
Inventeurs : DUPERTUIS, Marc-André; (CH).
CROTTINI, Andrea; (CH).
SALLERAS VILA, Ferran; (CH).
DEVEAUD-PLEDRAN, Benoit; (CH)
Mandataire : CRONIN, Brian; Cronin Intellectual Property, Route de Clémenty 62, CH-1260 Nyon (CH)
Données relatives à la priorité :
04405650.5 18.10.2004 EP
Titre (EN) AN INTEGRATED HOLDING-BEAM-AT-TRANSPARENCY (HBAT) CONFIGURATION FOR SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFICATION OR EMISSION
(FR) CONFIGURATION DE FAISCEAU DE REGENERATION A TRANSPARENCE (HBAT) INTEGREE POUR AMPLIFICATION OU EMISSION OPTIQUE A SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)An optical device for amplifying or emitting an optical beam of given wavelength comprises an optical source (20) in combination with a primary optical device (10) which is a semiconductor optical amplifier (SOA), a gain-clamped semiconductor optical amplifier (GCSOA), a sub-threshold gain-clamped semiconductor optical amplifier (SGCSOA), a laser diode (LD) or a superluminescent LED (SLED). The primary optical device (10) delivers an output signal of given wavelength called the signal beam and optionally receives an input beam at the same wavelength as the signal beam. Operation of the primary optical device (10) is assisted by a holding beam supplied by the optical source (20). The holding beam is of smaller wavelength than the signal beam, the holding beam wavelength being tuned close to the transparency wavelength of the primary optical device to provide a holding beam at transparency (HBAT) mode. The signal beam and the holding beam are collinear within the primary optical device (10) and within the optical source (20). The optical source and the SOA, GCSOA, SGCSOA or LD are integrated in a single semiconductor chip preferably in an in-line configuration. The optical source is transparent at the signal wavelength in the SOA, GCSOA, SGCSOA, LD or SLED. The inventive integrated HBAT configurations allow extremely fast, high-gain and low noise operation of the SOA's, GCSOA's or SGCSOA's. They are well-suited for high-power, low noise and high speed WDM applications. The inventive integrated HBAT scheme for LD's provides laser sources with damped relaxation oscillations. Such devices, under fast direct modulation, are suitable sources for the access and metro telecommunication network.
(FR)Cette invention concerne un dispositif optique permettant d'amplifier ou d'émettre un faisceau optique d'une longueur d'onde donnée et comprenant une source optique (20) combinée à un dispositif optique primaire (10) pouvant être un amplificateur optique à semi-conducteur (SOA), un amplificateur optique à semi-conducteur à gain bloqué (GCSOA), un amplificateur optique à semi-conducteur à gain bloqué infraliminaire (SGCSOA), une diode laser (LD) ou une diode superluminescente (SLED). Le dispositif optique primaire (10) émet un signal de sortie d'une longueur d'onde donnée appelé faisceau de signal et reçoit éventuellement un faisceau d'entrée à la même longueur d'onde que celle du faisceau de signal. Le fonctionnement du dispositif optique primaire (10) est assisté par un faisceau de régénération émis par la source optique (20). Le faisceau de régénération présente une longueur d'onde inférieure à celle du faisceau de signal, la longueur d'onde du faisceau de régénération étant accordée de façon qu'elle soit proche de la longueur d'onde de transparence du dispositif optique primaire pour qu'on obtienne un faisceau de régénération au mode transparence (HBAT). Le faisceau de signal et le faisceau de régénération sont colinéaires dans le dispositif optique primaire (10) et dans la source optique (20). La source optique et l'amplificateur SOA, l'amplificateur GCSOA, l'amplificateur SGCSOA ou la diode laser sont intégrés dans une seule puce de semi-conducteur, de préférence selon une configuration en ligne. La source optique est transparente à la longueur d'onde du signal dans l'amplificateur SOA, l'amplificateur GCSOA, l'amplificateur SGCSOA, la diode laser ou la diode superluminescente. Les configurations HBAT intégrées de cette invention permettent d'obtenir un fonctionnement extrêmement rapide, à gain élevé et à faible bruit des amplificateurs SOA, GCSOA ou SGCSOA. Elles conviennent particulièrement à des applications WDM à haute puissance, faible bruit et haute vitesse. La structure HBAT intégrée pour diode laser permet d'obtenir des sources laser à oscillations de relaxation amorties. Ces dispositifs, sous l'effet d'une modulation directe rapide, constituent des sources appropriées pour le réseau de télécommunication d'accès et métropolitain.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)