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1. (WO2006042698) PROCEDE D'ISOLATION DE CONTACTS DE COUCHES ELECTROCONDUCTRICES SUR DES CELLULES SOLAIRES A CONTACT ETABLI SUR LA FACE ARRIERE ET CELLULE SOLAIRE CORRESPONDANTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/042698    N° de la demande internationale :    PCT/EP2005/011046
Date de publication : 27.04.2006 Date de dépôt international : 13.10.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    10.08.2006    
CIB :
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01), H01L 31/068 (2012.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : INSTITUT FÜR SOLARENERGIEFORSCHUNG GMBH [DE/DE]; Am Ohrberg 1, 31860 Emmerthal (DE) (Tous Sauf US).
TEPPE, Andreas [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
ENGELHART, Peter [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
MÜLLER, Jörg [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : TEPPE, Andreas; (DE).
ENGELHART, Peter; (DE).
MÜLLER, Jörg; (DE)
Mandataire : MAIWALD PATENTANWALTS GMBH; Postfach 330523, 80065 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2004 050 269.2 14.10.2004 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR KONTAKTTRENNUNG ELEKTRISCH LEITFÄHIGER SCHICHTEN AUF RÜCKKONTAKTIERTEN SOLARZELLEN UND ENTSPRECHENDE SOLARZELLE
(EN) METHOD FOR THE CONTACT SEPARATION OF ELECTRICALLY-CONDUCTING LAYERS ON THE BACK CONTACTS OF SOLAR CELLS AND CORRESPONDING SOLAR CELLS
(FR) PROCEDE D'ISOLATION DE CONTACTS DE COUCHES ELECTROCONDUCTRICES SUR DES CELLULES SOLAIRES A CONTACT ETABLI SUR LA FACE ARRIERE ET CELLULE SOLAIRE CORRESPONDANTE
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle (1) mit einem Halbleitersubstrat (2) vorgeschlagen, dessen elektrische Kontaktierung auf der Halbleitersubstratrückseite erfolgt. Die Halbleitersubstratrückseite weist lokal dotierte Bereiche (3) auf. Die danebenliegende Bereiche (4) weisen eine vom Bereich (3) unterschiedliche Dotierung auf. Damit das leitfähige Material (5) die Solarzelle nicht kurzschliesst, sind die beiden Bereiche (3,4) zumindest an deren Bereichsgrenzen (6) mit einer dünnen, elektrisch isolierenden Schicht (7) überzogen. Die beiden Bereiche (3,4) sind zunächst ganzflächig mit einem elekrisch leitfähigen Material (5) beschichtet. Die Trennung der elektrisch leitfähigen Schicht (5) erfolgt durch ganzflächiges Aufbringen einer Ätzbarrierenschicht (8), welche anschliessend maskierungsfrei und selektiv, z.B. durch Laserablation, lokal oberhalb der isolierenden Schicht (7), entfernt wird. Durch den anschliessenden Angriff einer Ätzlösung wird die leitfähige Schicht (5) im Bereich der Öffnungen (9) der Ätzbarrierenschicht (8) lokal entfernt.
(EN)A method for production of a solar cell (1), comprising a semiconductor substrate (2), is disclosed, the electrical contact of which is achieved on the back face of the semiconductor substrate. The back face of the semiconductor substrate comprises locally doped regions (3). The adjacent regions (4) have a different doping from said region (3). According to the invention, short-circuiting of the conducting material (5) of the solar cell may be avoided, whereby both regions (3,4), at least at the boundaries (6) thereof, are coated with a thin electrically-insulating layer (7). Both regions (3,4) are then coated over the whole surface thereof with an electrically-conducting material (5). The separation of the electrically-conducting layers (5) is achieved by application of an etching barrier layer (8) to the whole surface, which is then selectively removed without a mask, for example by laser ablation, locally above the insulating layer (7). By the subsequent attack of an etching solution the etching barrier layer (8) is locally removed from the conducting layer (5) in the region of the openings (9).
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'une cellule solaire (1) avec un substrat de semiconducteur (2), cellule dont le contact électrique est établi sur la face arrière du substrat de semiconducteur. La face arrière du substrat de semiconducteur présente des zones dopées localement (3). Les zones adjacentes (4) présentent un dopage différent de la zone (3). Afin que le matériau conducteur (5) ne court-circuite pas la cellule solaire, les deux zones (3, 4) sont recouvertes d'une couche mince électriquement isolante (7) au moins sur leurs bords (6). Ces deux zones (3, 4) sont enduites d'un matériau électroconducteur (5) sur toute leur surface. L'isolation de la couche électroconductrice (5) est obtenue par l'application d'une couche barrière d'attaque (8) sur toute la surface, laquelle couche est ensuite enlevée localement sans masque et sélectivement, p. ex. par ablation laser, au-dessus de la couche isolante (7). La couche conductrice (5) est enlevée localement par l'attaque consécutive d'une solution d'attaque au niveau des ouvertures (9) de la couche barrière d'attaque (8).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)