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1. (WO2006042519) PROCEDE DE FABRICATION DE STRUCTURES A L'ECHELLE DU SOUS-MICRON
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/042519    N° de la demande internationale :    PCT/DE2005/001852
Date de publication : 27.04.2006 Date de dépôt international : 17.10.2005
CIB :
H01L 21/033 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/335 (2006.01), H01L 29/76 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : CHRISTIAN-ALBRECHTS- UNIVERSITÄT ZU KIEL [DE/DE]; Olshausenstrasse 40, 24118 Kiel (DE) (Tous Sauf US).
ADELUNG, Rainer [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
REHDERS, Stefan [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : ADELUNG, Rainer; (DE).
REHDERS, Stefan; (DE)
Mandataire : BIEHL, Christian; Boehmert & Boehmert, Niemannsweg 133, 24105 Kiel (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2004 051 662.6 22.10.2004 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON SUBMIKRONSTRUKTUREN
(EN) METHOD FOR PRODUCING SUBMICRON STRUCTURES
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE STRUCTURES A L'ECHELLE DU SOUS-MICRON
Abrégé : front page image
(DE)Verfahren zur Herstellung von Submikronstrukturen unter Nutzung einer Schattenmaske, wobei ein Materialeintrag und/oder Energieeintrag durch die Öffnungen der Schattenmaske erfolgt, mit den Schritten : Aufbringen eines als Schattenmaske dienenden Films aus Maskierungsmaterial auf das Substrat, Erzeugen von Rissen in diesem Film, die bis auf das Substrat reichen, Ablösen von den Rissen eng benachbarten Randbereichen des Films unter Freilegung des Substrats und Einbringen des Materials oder der Energie durch die Rissöffnungen auf das freiliegende Substrat auch unter die abgelösten Randbereiche des Schattenmaskenfilms.
(EN)The invention relates to a method for producing submicron structures using a shadow mask, whereby a material charge and/or energy charge occurs through the openings of the shadow mask. Said method comprises the following steps: a film which is used as a shadow mask and which is made of a masking material is applied to the substrate, tears are produced in said film, said tears extending until the substrate, edge areas of the film arranged on the tears are detached thereby exposing the substrate and the material or the energy is applied to the exposed substrate by the tears, also above the exposed edge area of the shadow mask film.
(FR)Procédé de fabrication de structures à l'échelle du sous-micron à l'aide d'un masque de gravure, un apport de matière et / ou d'énergie se produisant à travers les ouvertures du masque. Ledit procédé consiste à appliquer un film servant de masque de gravure constitué d'une matière de masquage sur le substrat, à produire dans ce film des fissures qui atteignent le substrat, à détacher les zones du film situées directement au bord des fissures, le substrat étant ainsi mis à nu, et à apporter de la matière ou de l'énergie par les ouvertures des fissures sur le substrat mis à nu, également au-dessous des zones de bord détachées du film servant de masque de gravure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)