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1. (WO2006042518) SOURCE DE LUMIERE ET PROCEDE DE FABRICATION DE LADITE SOURCE DE LUMIERE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/042518    N° de la demande internationale :    PCT/DE2005/001851
Date de publication : 27.04.2006 Date de dépôt international : 17.10.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    15.08.2006    
CIB :
H01L 51/50 (2006.01), H01L 51/54 (2006.01)
Déposants : IP2H AG [CH/CH]; Hofweg 11, CH-3013 Bern (CH) (Tous Sauf US).
ARNOLD, Jörg [DE/CH]; (CH) (US Seulement).
DILO, Adrian [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : ARNOLD, Jörg; (CH).
DILO, Adrian; (DE)
Mandataire : ULLRICH & NAUMANN; Luisenstrasse 14, 69115 Heidelberg (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2004 050 711.2 17.10.2004 DE
10 2004 051 210.8 20.10.2004 DE
10 2004 055 091.3 15.11.2004 DE
Titre (DE) LICHTQUELLE UND EIN VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LICHTQUELLE
(EN) LIGHT SOURCE AND METHOD FOR PRODUCING A LIGHT SOURCE
(FR) SOURCE DE LUMIERE ET PROCEDE DE FABRICATION DE LADITE SOURCE DE LUMIERE
Abrégé : front page image
(DE)Eine Lichtquelle mit mindestens einem durch Anordnung zweier geeigneter Halbleitermaterialien (1 , 2) gebildeten p-n-Übergang (3) zur induzierten Lichtemission is im Hinblick auf die Erzeugung einer besonders großen Lichtmenge derart ausgestaltet und weitergebildet, dass zumindest eines der Halbleitermaterialien (1 , 2) in Form von Teilchen vorliegt. Des Weiteren ist ein Verfahren zur Herstellung eine derartigen Lichtquelle angegeben.
(EN)The invention relates to a light source comprising at least one p-n-junction (3) which is formed by the arrangement of two suitable semi-conductor materials (1 , 2) for the induced emission of light. Said light source is embodied and improved in such a manner that at least one of the semi-conductor materials (1 , 2) is in the form of particles, such that a particularly large amount of light can be produced. The invention further relates to a method for producing said type of light source.
(FR)Source de lumière comportant au moins une jonction p-n (3) formée par la disposition de deux matières semi-conductrices appropriées (1, 2), pour l'émission induite de lumière. En vue de la production d'une quantité de lumière particulièrement élevée, ladite source est conçue et améliorée de manière telle qu'au moins une des matières semi-conductrices (1, 2) se présente sous forme de particules. La présente invention concerne en outre un procédé de production d'une source de lumière de ce type.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)