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1. (WO2006042167) SYNCHRONISATION DE POSITION, DE LARGEUR DE POINT, ET DE COURANT D'IMPLANTATION DE FAISCEAUX IONIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/042167    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/036268
Date de publication : 20.04.2006 Date de dépôt international : 07.10.2005
CIB :
H01J 37/317 (2006.01)
Déposants : VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road, Gloucester, MA 01930 (US) (Tous Sauf US).
CHANG, Shengwu [CN/US]; (US) (US Seulement).
CUCCHETTI, Antonella [IT/US]; (US) (US Seulement).
DZENGELESKI, Joseph, P. [US/US]; (US) (US Seulement).
GIBILARO, Gregory, R. [US/US]; (US) (US Seulement).
MOLLICA, Rosario [US/US]; (US) (US Seulement).
NORRIS, Gregg, A. [US/US]; (US) (US Seulement).
OLSON, Joseph, C. [US/US]; (US) (US Seulement).
WELSCH, Marie, J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHANG, Shengwu; (US).
CUCCHETTI, Antonella; (US).
DZENGELESKI, Joseph, P.; (US).
GIBILARO, Gregory, R.; (US).
MOLLICA, Rosario; (US).
NORRIS, Gregg, A.; (US).
OLSON, Joseph, C.; (US).
WELSCH, Marie, J.; (US)
Mandataire : HWANG, David, H.; Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc., 35 Dory Road, Gloucester, MA 01930 (US)
Données relatives à la priorité :
10/960,904 07.10.2004 US
Titre (EN) ION BEAM IMPLANT CURRENT, SPOT WIDTH AND POSITION TUNING
(FR) SYNCHRONISATION DE POSITION, DE LARGEUR DE POINT, ET DE COURANT D'IMPLANTATION DE FAISCEAUX IONIQUES
Abrégé : front page image
(EN)An ion beam tuning method, system and program product for tuning an ion implanter system are disclosed. The invention obtains an ion beam profile of the ion beam by, for example, scanning the ion beam across a profiler that is within an implant chamber; and tunes the ion implanter system to maximize an estimated implant current based on the ion beam profile to simultaneously optimize total ion beam current and ion beam spot width, and maximize implant current. In addition, the tuning can also position the ion beam along a desired ion beam path based on the feedback of the spot beam center, which improves ion implanter system productivity and performance by reducing ion beam setup time and provides repeatable beam angle performance for each ion beam over many setups.
(FR)L'invention concerne une méthode, un système et un produit de programme de synchronisation de faisceaux ioniques pour synchroniser un système d'implantation ionique. L'invention permet d'obtenir un profil de faisceau ionique de faisceau ionique, par exemple, par le balayage du faisceau ionique le long d'un dispositif de profilage situé à l'intérieur d'un compartiment d'implantation; et d'accorder le système d'implantation ionique pour optimiser un courant d'implantation estimé fondé sur le profil de faisceau ionique pour optimiser simultanément le courant de faisceau ionique total et la largeur de point de faisceau ionique, et pour maximiser le courant d'implantation. En outre, la synchronisation peut également positionner le faisceau ionique le long d'une trajectoire de faisceau ionique voulue en fonction de la rétroaction du centre du faisceau ponctuel, ce qui permet d'améliorer la productivité et la performance du système d'implantation ionique, par la réduction du temps de configuration de faisceau ionique, et ce qui permet d'obtenir une performance angulaire de faisceau répétable pour chaque faisceau ionique, sur plusieurs configurations.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)