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1. (WO2006042074) APPAREIL ET PROCEDE DE DEPOT DE COUCHE ATOMIQUE MULTI-ZONE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/042074    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/036088
Date de publication : 20.04.2006 Date de dépôt international : 04.10.2005
CIB :
C23C 16/00 (2006.01)
Déposants : ATOMICITY SYSTEMS, INC. [US/US]; 1712 Brewster Ave, Redwood City, CA 94062 (US) (Tous Sauf US).
ANTONISSEN, Eric [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ANTONISSEN, Eric; (US)
Mandataire : FARN, Michael, W.; Fenwick & West LLP, Silicon Valley Center, 801 California Street, Mountain View, CA 94041 (US)
Données relatives à la priorité :
60/616,167 04.10.2004 US
11/239,966 30.09.2005 US
Titre (EN) MULTI-ZONE ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD
(FR) APPAREIL ET PROCEDE DE DEPOT DE COUCHE ATOMIQUE MULTI-ZONE
Abrégé : front page image
(EN)Method and apparatus for producing a thin film on a substrate (400) set in a moving substrate holder (320) is disclosed Within a deposition chamber, a substrate is moved across a series of dedicated deposition zones (420) and is subjected to repeated surface reactions with at least two different reactants The reactants are fed into the dedicated deposition zones from a gas supply system that may include high speed valves that are timed to coordinate with the passage of the substrate so as to inject reactive gases repeatedly into the deposition zones The dedicated deposition zones are separated by dedicated exhaust zones (230) that direct each reactive gas along separate paths so as to minimize or eliminate mixing of different reactive species in the exhaust thus decreasing deposition within the exhaust system.
(FR)L'invention concerne un procédé et un appareil permettant de produire un film mince sur un ensemble de substrats dans un support de substrats mobile. Dans une chambre de dépôt, un substrat est déplacé sur plusieurs zones de dépôt spécialisées et celui-ci est soumis à des réactions de surface répétées avec au moins deux réactifs distincts. Les réactifs sont alimentés dans les zones de dépôt spécialisées à partir d'un système d'alimentation de gaz pouvant comprendre des vannes à vitesse élevée synchronisées de manière à être coordonnées avec le passage du substrat, aux fins d'injection de gaz réactifs de manière répétée dans les zones de dépôt. Les zones de dépôt spécialisées sont séparées par des zones d'échappement spécialisées dirigeant chaque gaz réactif le long de chemins distincts, de manière à minimiser ou éliminer le mélange de diverses espèces réactives dans l'échappement, diminuant ainsi le dépôt dans le système d'échappement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)