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1. (WO2006041837) AMORPHISATION, PRE-PROCEDE SALICIDE DANS DES DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS COMPRENANT LA FORMATION DE SILICIURE DE NICKEL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/041837    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/035670
Date de publication : 20.04.2006 Date de dépôt international : 04.10.2005
CIB :
H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/4763 (2006.01)
Déposants : TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P.O. Box 655474, Mail Station 3999, Dallas, TX 75265-5474 (US) (Tous Sauf US).
JAIN, Amitabh [US/US]; (US) (US Seulement).
CHEN, Peijun [US/US]; (US) (US Seulement).
KITTL, Jorge, A. [US/BE]; (BE) (US Seulement)
Inventeurs : JAIN, Amitabh; (US).
CHEN, Peijun; (US).
KITTL, Jorge, A.; (BE)
Mandataire : TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED; FRANZ, Warren, L., Deputy General Patent Counsel, P.O. Box 655474, M/S 3999, Dallas, TX 75265-5474 (US)
Données relatives à la priorité :
10/959,674 04.10.2004 US
Titre (EN) PRE-SILICIDATION AMORPHIZATION IN SEMICONDUCTOR DEVICE NICKEL SILI CIDE
(FR) AMORPHISATION, PRE-PROCEDE SALICIDE DANS DES DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS COMPRENANT LA FORMATION DE SILICIURE DE NICKEL
Abrégé : front page image
(EN)In a process for formation of nickel silicide (NiSi) in fabrication of a semiconductor device (100), antimony or similarly acting other ion is implanted (at 200) in surface regions of a silicon substrate (101), prior to deposition of nickel (Ni), following annealing of deeper implants. The heavy ion implantation amorphizes silicon surface regions, eliminating problematic defects, thereby enabling improved subsequent silicidation of the nickel.
(FR)Selon l'invention, dans un processus de formation de siliciure de nickel (NiSi) lors de la fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs (100), l'antimoine ou un autre ion agissant de manière similaire est implanté (sur 200) dans des régions de surface d'un substrat en silicium (101), avant le dépôt de nickel (Ni), puis le recuit d'implants plus profonds. L'implantation d'ions lourds amorphise les régions de surface de silicium, tout en éliminant les défauts problématiques et en permettant l'amélioration du procédé salicide du nickel.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)